-
功率器件新突破！氮化鎵實現單片集成雙向開關
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。
2025-05-11
-
驅動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用
隨著功率半導體IGBT，SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A，可驅動中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機。本文就來介紹一個設計案例，采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯調制圖騰柱PFC評估板。
2025-05-07
-
能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優勢
在消費電子市場高速發展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產品，通過性能優化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節能化發展提供了關鍵解決方案。
2025-05-07
-
第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
-
第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
-
功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-24
-
IGBT并聯設計指南，拿下！
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
-
第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
-
IGBT的并聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱系數
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，才能設計出可靠的系統。
2025-01-16
-
功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-14
-
IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
-
柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
- 800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續航與性能躍升的工程密鑰
- 熱敏電阻技術全景解析：原理、應用與供應鏈戰略選擇
- 如何破解導航系統中MEMS IMU數據同步困局？
- 非線性響應破局！新一代eFuse跳變曲線如何提升能效？
- 電源測量的導線布局如何影響測量精度？
- 小信號放大新思路，低成本儀表放大器的差分輸出設計
- 隔離SEPIC轉換器如何破解反激式拓撲的EMI與調節困局？
- 從實驗室到市場：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
- 維科杯·OFweek2025年度評選：揭秘工業自動化及數字化轉型“領航者”，誰將脫穎而出？
- 尋找傳感器界的“隱形王者”！維科杯·OFweek 2025年度評選等你來戰
- 厚膜電阻在通信基礎設施中的關鍵應用與技術突破
- 碳膜電位器技術解析：從原理到選型與頭部廠商對比
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
