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SiC賦能工業充電器:拓撲結構優化與元器件選型實戰指南
隨著工業新能源體系(如電動叉車、分布式儲能、重型工程機械)的快速擴張,電池充電器的高功率密度、高轉換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統IGBT器件因開關速度慢、反向恢復損耗大,難以滿足“小體積、大輸出”的設計目標——而碳化硅(SiC)功率器件的出現,徹底改變了這一局面。 SiC器件的核心優勢在于極致的開關性能:其開關速度可達IGBT的5-10倍,反向恢復損耗幾乎為零,同時能在175℃以上的高溫環境下穩定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上(相同功率下體積縮小1/3),更關鍵的是,它突破了IGBT對功率因數校正(PFC)拓撲的限制——比如圖騰柱PFC、交錯并聯PFC等新型架構,原本因IGBT的損耗問題無法落地,如今借助SiC得以實現,使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業充電器的拓撲結構優化,結合SiC器件的特性,拆解“如何通過拓撲選型匹配SiC優勢”“元器件(如電容、電感)如何與拓撲協同”等核心問題,為工程師提供可落地的設計指南。
2025-08-29
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意法半導體2025半年報亮相:IFRS標準下的全球半導體龍頭中期答卷
2025年8月21日,全球領先的半導體解決方案供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)通過公司官網正式披露了截至2025年6月28日的IFRS標準中期財務報告(涵蓋六個月經營周期),并同步向荷蘭金融市場管理局(AFM)完成 regulatory filing(監管報備)。作為服務于消費電子、工業控制、汽車電子等多領域的半導體巨頭,此次財報不僅是其2025年上半年經營狀況的“數字快照”,更成為行業觀察全球半導體市場復蘇趨勢的重要參考。
2025-08-21
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KiCad膠水層揭秘:SMT紅膠工藝的“隱形固定師”
在KiCad這款開源PCB設計軟件的圖層列表中,有兩層常常被新手當作“無關緊要的標記層”——F.Adhesive(正面膠水層)和B.Adhesive(背面膠水層)。但對SMT(表面貼裝技術)生產線上的工程師來說,這兩層卻是“隱形的固定師”:它們標注的位置,直接決定了紅膠如何點涂,進而確保SMD(表面貼裝器件)元件在高溫焊接時不會移位、脫落。從KiCad的設計端到工廠的生產端,這兩層看似簡單的“膠水層”,其實串聯起了SMT紅膠工藝的核心邏輯。
2025-08-20
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氮化鎵電源IC U8726AHE:用Boost技術破解寬電壓供電難題
在手機快速充電器、筆記本適配器、移動電源等消費電子設備中,電源的“穩定性”與“效率”直接決定了用戶體驗——比如,一款能支持5V/2A、9V/2A、12V/1.5A等多規格輸出的快速充電器,需要電源IC在寬電壓范圍內保持穩定供電,同時不能因為額外電路增加體積或成本。然而,傳統電源方案在應對這一需求時,往往陷入“兩難”:要么依賴輔助繞組(增加變壓器體積),要么外接穩壓電路(提高功耗),導致產品競爭力下降。針對這一痛點,一款集成高壓E-GaN(增強型氮化鎵) 與Boost供電技術的電源IC——U8726AHE應運而生,它像一把“鑰匙”,打開了消費電子電源“寬電壓、高效率、小體積”的新局面。
2025-08-20
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Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析:開發BLE應用的底層邏輯與避坑指南
在BLE(藍牙低功耗)應用開發領域,Nordic的nRF5系列芯片(如nRF51、nRF52)因其低功耗、高集成度的特性,成為開發者的首選。而支撐這些芯片運行的“底層基石”,正是nRF5 SDK(軟件開發工具包)與Softdevice(藍牙協議棧)。然而,很多開發者對兩者的關系、版本選擇及目錄結構存在困惑——比如,SDK是“工具”還是“協議棧”?Softdevice為什么不能隨便升級?本文將從開發邏輯出發,深度解析這兩個工具的核心作用、使用誤區及最佳實踐,幫你搭建清晰的BLE開發底層認知。
2025-08-20
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工業充電器能效革命:碳化硅技術選型與拓撲優化實戰
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業儲能領域加速滲透,傳統硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅(SiC)MOSFET為代表的新型半導體,憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率,正推動工業充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略,揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創新方案中精準匹配功率器件參數,實現系統成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業充電器PFC拓撲進化論:SiC如何重塑高效電源設計?
在工業4.0時代,從便攜式電動工具到重型AGV(自動導引車),電池供電設備正加速滲透制造業、倉儲物流和建筑領域。然而,工業級充電器的設計挑戰重重:既要承受嚴苛環境(如高溫、震動、粉塵),又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩定,同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅(SiC)功率器件的崛起,正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性,不僅提升了功率密度,更解鎖了傳統IGBT難以實現的新型PFC(功率因數校正)拓撲。本文將深入解析工業充電器的PFC級設計策略,助您精準選型。
2025-08-18
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電源架構設計智能化革命:ADI三駕馬車如何重塑開發范式
在電子系統功耗管理日益復雜的背景下,電源架構設計正經歷從經驗驅動到工具賦能的范式轉移。全球模擬半導體巨頭ADI公司推出的LT工具鏈(LTspice/LTpowerCAD/LTpowerPlanner),構建了覆蓋電路仿真、參數優化到系統規劃的全流程解決方案。這套工具鏈正在改變工程師設計電源系統的基本邏輯,將傳統耗時數周的設計周期壓縮至小時級精度迭代。
2025-08-18
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X-HBM架構橫空出世:AI芯片內存技術的革命性突破
在AI算力需求呈指數級增長的今天,內存帶寬已成為制約大模型發展的關鍵瓶頸。NEO Semiconductor最新發布的X-HBM架構,以其32K位總線和單芯片512Gbit容量的驚人規格,一舉突破傳統HBM技術的物理限制,為下一代AI芯片提供了高達16倍帶寬和10倍密度的內存解決方案,這標志著AI硬件發展進入全新階段。
2025-08-12
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DIC EXPO 2025國際(上海)顯示技術及應用創新展盛大開幕!
全球顯示產業界翹首以盼的年度盛會——DIC EXPO 2025國際(上海)顯示技術及應用創新展今日在上海新國際博覽中心隆重開幕!本屆展會由中國光學光電子行業協會液晶分會(CODA)主辦,上海勵程展覽有限公司承辦,以“AI·顯示 再謀新篇“為主題,匯聚全球顯示產業精英,共同見證新時代顯示技術的創新突破與產業發展的嶄新篇章。
2025-08-11
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800V高壓平臺突圍!安森美碳化硅技術賦能小米YU7性能躍升
安森美宣布,其基于EliteSiC M3e技術打造的800V高壓驅動平臺已應用于小米汽車旗下YU7電動SUV部分車型。該平臺憑借高性能碳化硅(SiC)技術,可助力電動汽車制造商優化牽引系統設計,實現更緊湊、輕量化及高可靠性的動力解決方案。
2025-08-04
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芯海科技盧國建:用“芯片+AI+數據”重新定義健康管理
芯海科技在全信號鏈芯片設計領域耕耘了22年,是國內少有擁有“模擬+MCU”雙平臺驅動,同時提供物聯網一站式整體解決方案的IC設計企業。在體征數據量測領域芯海科技也已耕耘了十年,自2015年起投入生物測量芯片研發,公司自主研發的高精度生物測量芯片及模組(BIA/PPG/ECG等)已實現對人體成分、心率、體脂、肌肉量等30+人體成分的動態采集,精度對標醫療級設備,如八電極人體成分分析儀,與行業金標DXA檢測結果的相關性達0.95以上。“體重的測量或人體成分,就是人們身體健康的‘隱形推手’。”盧國建強調。
2025-08-01
- 安森美與舍弗勒強強聯手,EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯手,800V直流方案賦能AI數據中心能效升級
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