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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。
2023-06-27
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白光LED電荷泵的電路板布局指南
對于許多白光LED電荷泵IC來說，印刷電路板（PCB）布局很簡單。但大電流電荷泵和具有許多引腳的電荷泵（如MAX1576）有更嚴格的要求。討論了PCB布局和設計指南。
2023-06-27
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貿澤隆重推出新一期EIT計劃，探索智能家居技術與Matter連接標準的交集
2023年6月21日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創新，EIT）計劃推出最新一期內容，重點關注Matter連接標準。在本期EIT中，連接標準聯盟 (CSA) 和業界知名制造商的全球技術專家齊聚一堂，共同探討Matter從市場推廣到設計規范的各個方面。
2023-06-21
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰。
2023-06-19
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
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如何通過實時可變柵極驅動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-06-14
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中科融合劉欣：從MEMS微振鏡芯片入手，全棧式解決3D機器視覺挑戰
5月12日，由中國半導體行業協會IC設計分會（ICCAD）、芯原股份、松山湖管委會主辦的主題為“AR/VR/XR×元宇宙”的“2023松山湖中國IC創新高峰論壇”正式在廣東東莞松山湖召開。中科融合感知智能研究院（蘇州工業園區）有限公司（以下簡稱“中科融合”）發布了面向3D視覺領域的自研的MEMS微振鏡投射芯片。
2023-06-14
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貿澤電子聯手TI推出全新電子書探索城市空中運輸的未來
2023年6月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Texas Instruments聯手推出全新電子書《Addressing New Challenges in Urban Air Mobility》（克服城市空中運輸的新挑戰），探索新一代空中運輸面臨的全新問題，并探討設計人員如何更好地攻克這些難題。
2023-06-13
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2023 SiFive RISC-V中國技術論壇即將盛大開幕，北上深再掀開源風暴
指令精簡、模塊化、可擴展……已于2022年利用7年時間達成出貨量100億顆的里程碑，RSIC-V正在充分發揮自身的開放開源優勢，一路開疆拓土。身為RISC-V的發明者與領導廠商，SiFive正發揮開源生態疊加未來計算新范式的“鏈主”效應，致力于將RISC-V的無限潛力引領至高性能處理器與高算力場景應用中。
2023-06-13
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小功率電機驅動方案中如何選擇驅動IC
電機驅動作為工業4.0中工廠自動化整個閉環中的執行器環節，其性能好壞直接影響到整個閉環的性能。因此，工業4.0對電機驅動提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制、以及更豐富的網絡互聯功能等。針對不同應用場合的電機，我們應該選擇與之相對應的驅動方案。簡單地來說，功率大的電機應該選用內阻小、電流容許大的驅動，功率小的電機就可以選用較低功率的驅動。
2023-06-09
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對比兩個具有無限間斷點信號的頻譜
今天想到一個問題， 這里有兩個都帶有無窮多個間斷點的信號。它們都位于 0,1 之間。?第一個信號是從 0 開始往1前進， 每前進剩余路程的一半，幅值降低一半。?第二個信號是從 0 往 1 前進， 每次都前進剩余路程的一半。在前進的路程中出現一個寬度為路程長度一半的矩形脈沖信號。?根據傅里葉變換， 這兩個信號都不滿足 Dirichlet 條件。那么他們傅里葉變換是什么呢？
2023-06-08
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SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術博弈
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