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9款高能效溝槽型場截止IGBT
安森美擴充高性能溝槽型場截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性，能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性，這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴展第三代逆導IGBT產品組合
英飛凌科技股份有限公司擴展其第三代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續需求。
2012-10-25
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用IGBT實現高壓大功率變頻器
目前，高壓大功率變頻器是一個十分重要的應用領域。而基于IGBT的變頻器其功率等級最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用IGBT就難以實現。目前，ABB等國際大公司均推出了基于IGBT的三電平變頻器。但在高壓大功率應用條件下，三電平技術的可靠性在國內還有待于提高。此外，高壓大功率變頻器的性能試驗也是一個難題。
2012-10-25
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具有2.5A輸出電流的智能IGBT光電耦合驅動器
飛兆半導體開發了一款先進的具有2.5A輸出電流能力的智能IGBT光電耦合驅動器產品，此器件具有一個集成式的柵極驅動光電耦合器，其備有低RDS(ON) CMOS晶體管，能助力實現IGBT的軌至軌驅動，適用于驅動功率IGBT和MOSFET的快速開關。
2012-10-22
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設計EPS應急電源必須考慮的要素
EPS應急電源可以說是近兩年才迅猛發展起來的一個新興產業，相比于發展成熟的UPS而言，有相同之處，也有不同之處。其相同點在于都具備在市電故障(中斷)情況下繼續向負載提供交流電源的功能，均采用了IGBT逆變技術和脈寬調制(PWM)技術。
2012-10-22
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針對家電電機驅動應用的600V超高速溝道IGBT
IR公司新推出600V超高速溝道IGBT，該器件可大幅降低開關與導通損耗，在更高頻率下可提升功率密度和效率。并具有6A額定電流及不小于 5μs的最低短路額定值，適用于廣泛的開關頻率，最高達20kHz。
2012-10-19
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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴展其NPT IGBT產品系列，發布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。
2012-09-13
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發力電機驅動應用，飛兆半導體推最新IGBT
此次，飛兆半導體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機驅動效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴格的能效指標。
2012-09-10
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簡單實現晶閘管直流穩壓器的過流保護
盡管功率場效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮，且在電力電子技術領域占據重要位置，晶閘管（可控硅） 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性，仍有著穩固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執行等多個環節的情況下，將單結晶體管移相觸發器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器，就可實現晶閘管直流穩壓器的過流及短路保護，簡化了電路結構，并提高了整機的穩定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗，在不犧牲系統總體效率的情況下，可以支持更高的開關頻率。設計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率
2012-06-18
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