【導讀】IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺，新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，提供適合工業應用的基準效率和耐用性。
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越性能。
全新的Gen8設計可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“通過開發全新基準技術及頂尖的IGBT硅平臺，彰顯出IR在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環境。”
圖題：IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺
新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數分布較窄，在高電流功率模塊內并聯起多個IGBT之時，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到175°C的最高結溫。
潘大偉補充道：“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業應用提供卓越技術。該IGBT平臺憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能，使工業市場中的艱巨難題迎刃而解。”
產品規格
產品供應
IR Gen8 1200V IGBT平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商 (OEM) 及原始設計制造商 (ODM) 合作伙伴。
