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APEI HT2000：羅姆與APEI聯合開發出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
日本知名半導體制造商羅姆株式會社日前面向EV、HEV車（電動汽車、混合動力車）及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。
2011-11-18
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AK15系列:Littelfuse新推瞬態電壓抑制器
14日消息，Littelfuse 公司于近日宣布推出瞬態電壓抑制器(TVS)AK15系列。
2011-11-17
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IRGPS406xDPbF：IR擴充堅固耐用、可靠的超高速600V IGBT用于焊接應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業用電機及焊接應用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
2011-11-17
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一種車載智能電源的設計
智能交通系統(IntelligentTransportSystem,簡稱ITS) 研究領域，是未來交通系統的發展方向，其是將先進的信息技術、數據通訊傳輸技術、電子傳感技術、控制技術及計算機技術等有效地集成運用于整個地面交通管理系統而建立的一種在大范圍內、全方位發揮作用的，實時、準確、高效的綜合交通運輸管理系統。
2011-11-16
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連網電視出貨比例2015年可超過五成
DisplaySearch 最新公布的報告(Quarterly TV Design and Features Report)指出，2011年全球將有超過27%的電視具備連網功能，該比例到2015年將上升為54%，出貨量達到15500萬臺。其中拉丁美洲地區 2011年有16%的電視機具備連網功能。
2011-11-16
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SynQor取得補充賠償金 部分被告受到制裁
SynQor宣布，在其對行業供應商提起的關于中間總線架構中使用的開環和半調整總線轉換器的專利訴訟案中（SynQor公司訴Artesyn科技公司等），美國德克薩斯州東區地方法院裁定SynQor有權取得11,875,548美元補充賠償金。
2011-11-15
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LTC4415:Linear新推雙通道、單片4A低損耗PowerPath理想二極管
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出單片雙通道4A電源通路 (PowerPath) 理想二極管LTC4415，該器件為減少熱量、壓降和占用的電路板空間而設計，同時可在電源切換電路中延長電池運行時間。
2011-11-15
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OSRAM擴大版圖進一步加強于照明方案市場實力
OSRAM AG(歐司朗)自2011年11月9日起已經從合資企業伙伴收購Traxon Technologies, Ltd.(簡稱Traxon)的剩余股份。透過是次收購，OSRAM進一步加強其在增長迅速的專業LED照明解決方案市場的實力。
2011-11-14
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ISL78228：Intersil推出面向汽車應用的雙通道同步降壓穩壓器
全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司宣布，今天推出一款節省空間和通過了AEC-Q100認證的雙通道同步降壓直流/直流穩壓器---ISL78228，其2.25MHz的開關頻率有助于將產品尺寸降到最小化。
2011-11-11
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Vishay發布采用SurfLight表面發射器技術的850nm紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發射器技術制造的850nm紅外(IR)發射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅動電流、發光強度和光功率，同時具有低熱阻系數。
2011-11-11
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LED驅動設計5大關鍵點
這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。
2011-11-11
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2015年4G LTE用戶數量猛增
截止到2011年底，全球4G LTE用戶預計將達到1160萬個，比2010年的30萬個暴增4062%。預計2012年將保持這種驚人增長，用戶數量激增441%，達到6280萬個。
2011-11-11
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