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半導體制造晶圓檢測技術分析
半導體制造業廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總缺陷密度。本文介紹晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發展到512M時，設計規則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術 晶體管
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射頻封裝系統
在RF系統中，各類元件采用不同的技術制作而成，例如BBIC采用CMOS技術、收發機采用SiGe和BiCMOS技術、RF開關采用GaAs技術等。系統芯片(SOC)的優勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術的限制，因此不能有效利用上述各項技術的優勢。系統級封裝(SiP)可以對各種不同技術的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統 ASIC BBIC
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原子層淀積技術
ALD技術的獨特性決定了其在半導體工業中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結構中隨處可見。由于傳統的淀積技術很難滿足需求，ALD技術已充分顯示了其優勢，為器件尺寸的繼續微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產業巨人的投資使得德國太陽能產業在全球居于領先地位
來自全球太陽能產業巨人的投資使得德國光伏產業實現穩步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機容量或者一半新的裝機容量，使其在這一領域居于世界領先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴展mTouch電容式觸摸傳感技術能力
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業界第一個也是唯一的一項可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標準SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短傳播延遲 模擬光耦
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LED驅動電路功率因數改善探討以及NCP1014解決方案
本參考設計將分析現有照明LED驅動電路設計功率因數低的原因，探討改善功率因數的技術及解決方案，介紹相關設計過程、元器件選擇依據、測試數據分享，顯示這參考設計如何輕松符合“能源之星”固態照明標準的功率因數要求，非常適合低功率LED照明應用。
2010-06-21
功率因數 PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014
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BGA封裝的焊球評測
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%，預計還將繼續維持此增長率。同時，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數量，更細的節距。但是好的焊球是什么樣一個標準，如何才能做好是很多初學者的疑問，請看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評測 HJTECH
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