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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學新品震撼上市
在全球聲學檢測技術(shù)領(lǐng)域，福祿克公司一直以其創(chuàng)新精神和卓越品質(zhì)著稱。近期，福祿克發(fā)布了最新款ii1020C工業(yè)聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現(xiàn)了顯著提升，旨在為工業(yè)檢測和電力設備維護提供更為高效和精準的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續(xù)的未來加速轉(zhuǎn)型」的核心理念，集中展示人工智能技術(shù)應用、綠色能源與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的前沿創(chuàng)新成果，覆蓋電子應用全領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品解決方案，推動各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉(zhuǎn)型。
2025-04-08
AI 能源 數(shù)字化轉(zhuǎn)型 TDK
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第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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相位魔法解碼：真時延技術(shù)如何實現(xiàn)毫米級指向精度
相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉(zhuǎn)向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統(tǒng)設計中的應用。
2025-04-07
相控陣天線 真時延技術(shù)
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結(jié) 見證巔峰時刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內(nèi)容創(chuàng)作，到Micro LED顛覆顯示技術(shù)，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經(jīng)濟，全球電子信息產(chǎn)業(yè)正以驚人的速度迭代創(chuàng)新。在這場技術(shù)變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態(tài)、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
CITE 2025 AI 存儲
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自主生態(tài)護城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競爭力構(gòu)建
自主生態(tài)護城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競爭力構(gòu)建
2025-04-07
數(shù)字化轉(zhuǎn)型 自主生態(tài)
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借力 Mendix 低代碼，加速博世汽車電子數(shù)字化轉(zhuǎn)型
隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速和業(yè)務需求的不斷增加，擺在嘉琪面前的是縮短 30% 的開發(fā)時間，同時提升 20% 的人員開發(fā)效率的目標。然而王嘉琪和他的團隊深感傳統(tǒng)高代碼開發(fā)模式的邊際效益越來越低，開發(fā)周期長、人力投入要求高。同時如何提升與業(yè)務部門的溝通效率，正確理解需求，也成為嘉琪一直在思考的問題。
2025-04-07
Mendix 博世 汽車電子
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基于賽靈思、紫光芯片開發(fā)的FPGA高速通信開發(fā)板，適用于圖像處理、工業(yè)控制場景
本周我愛方案網(wǎng)上新：紫光同創(chuàng)Logos系列（PGL50H-6IFBG484）高性能核心板、Xilinx XC7A35T圖像處理FPGA開發(fā)板，它們都是即插即用的方案PCBA，非常方便工程師開發(fā)設計。
2025-04-07
賽靈思 紫光芯片 FPGA 圖像處理 工業(yè)控制
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