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貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報(bào)名
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將與Silicon Labs和Arduino合作贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽。本次大賽不設(shè)技能門檻，任何技能水平的參賽者均可利用貿(mào)澤提供的Arduino Nano Matter開發(fā)板創(chuàng)建自己獨(dú)樹一幟的項(xiàng)目，為Silicon Labs社區(qū)以及其他社區(qū)提供設(shè)...
2024-09-21
貿(mào)澤電子 Silicon Labs Arduino Matter挑戰(zhàn)賽
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如何選擇和應(yīng)用機(jī)電繼電器實(shí)現(xiàn)多功能且可靠的信號(hào)切換
電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) 和安全設(shè)備等應(yīng)用越來越需要可靠地切換和路由單個(gè)或多個(gè)中低電平直流、交流（模擬）和射頻 (RF) 信號(hào)。機(jī)電繼電器 (EMR) 非常適合處理這項(xiàng)任務(wù)。
2024-09-20
機(jī)電繼電器 信號(hào)切換
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聚焦制造業(yè)企業(yè)貨量旺季“急難愁盼”，跨越速運(yùn)打出紓困“連招”
降本增效、迎戰(zhàn)旺季,說起來容易、做起來太難。尤其是對(duì)處在經(jīng)濟(jì)下行周期的制造業(yè)企業(yè)而言,亟須借助物流等外力紓困。
2024-09-19
制造業(yè)企業(yè)
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選擇LDO時(shí)的主要考慮因素和挑戰(zhàn)
低壓差(LDO)穩(wěn)壓器在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他便攜式小型設(shè)備等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。由于其效率和可靠性，它們?cè)谙到y(tǒng)級(jí)芯片(SoC)架構(gòu)中的集成變得越來越普遍。然而，片上LDO選項(xiàng)和特性種類繁多，使得選擇過程變得十分復(fù)雜。
2024-09-18
LDO
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兩張圖說清楚共射極放大器為什么需要發(fā)射極電阻
共射極（CE）放大器的發(fā)射極電阻是設(shè)定放大器增益的重要組件之一。它通過限制對(duì)放大器級(jí)的負(fù)反饋量來實(shí)現(xiàn)這一功能。簡(jiǎn)而言之，發(fā)射極旁路電容器通過抑制反饋來增加放大器的增益。
2024-09-18
共射極放大器 射極電阻
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7000多種Toshiba產(chǎn)品開放訂購(gòu)，其中3000多種有現(xiàn)貨庫(kù)存，豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買家和工程師開發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。
2024-09-18
貿(mào)澤電子 電子元器件 半導(dǎo)體
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使用 PLECSPIL 開發(fā)嵌入式控件
MCU 在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。人們不斷追求使電源轉(zhuǎn)換器更高效、更緊湊、更智能、更便宜，這就需要使用只能以數(shù)字方式執(zhí)行的高度復(fù)雜的控制和信號(hào)處理算法。MCU 通?？梢匀〈鄠€(gè)分立元件，在某些情況下甚至可以消除對(duì)某些傳感器的需求。專用于電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的 MCU 的價(jià)格已經(jīng)下降到即使...
2024-09-17
PLECSPIL 嵌入式控件
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復(fù)雜的RF PCB焊接該如何確保恰到好處？
先進(jìn)的印刷電路板(PCB)非常復(fù)雜，以至于OEM(原始設(shè)備制造商)經(jīng)常會(huì)撓頭，懷疑他們的PCB組裝是否走對(duì)了路。特定的電路板應(yīng)用面臨著許多挑戰(zhàn)，但并非所有組裝廠都具備處理一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的能力，那就是射頻(RF)PCB。
2024-09-17
RF PCB焊接
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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù)：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
- 2025機(jī)器人+應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈新一輪加速發(fā)展藍(lán)皮書》電子版限免下載！
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