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利用單片機實現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯
開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機 分立邏輯
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實時控制技術(shù)如何實現(xiàn)可靠且可擴展的高壓設(shè)計
隨著功率水平需求的提升和現(xiàn)代電源系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，對高壓系統(tǒng)的需求也發(fā)生了重大變化。為了有效滿足這些需求，有必要采用實時 MCU 或數(shù)字電源控制器來控制先進的電源拓撲，通過這些出色的拓撲來同時滿足精細的規(guī)格和各種電源要求。本文將討論數(shù)字電源控制在高壓應(yīng)用中的一些優(yōu)勢，并演示其如何助力...
2024-11-05
高壓系統(tǒng) 電力電子設(shè)備 實時控制技術(shù)
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我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器，在啟動和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...
2024-11-04
熱插拔 控制器電路 振蕩
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為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護航
如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...
2024-11-04
以太網(wǎng) 工業(yè)環(huán)境
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第8講：SiC外延生長技術(shù)
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術(shù)
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二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明
二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內(nèi)開的)時，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導(dǎo)通相似;當你從室內(nèi)往外推門時，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會被推開，不過門被開的同時一般也就損壞...
2024-11-04
二極管 向?qū)щ娦?nbsp; 伏安特性
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如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC－DC轉(zhuǎn)換器 降壓 升壓
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