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靜電放電保護器件種類與特點
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見來源。即使人與電路沒有直接接觸，電容式檢測開關等器件也可以允許電荷耦合到電導體上。在ESD放電可能導致電路故障的情況下，需要ESD保護。
2022-07-14
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SiC MOSFET FIT率和柵極氧化物可靠性的關系
除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力?？煽啃灾钙骷谀繕藟勖鼉?nèi)額定工作條件下的穩(wěn)定性。與可靠性相關的現(xiàn)象包括某些電氣參數(shù)的漂移或毀壞性的故障。對于硬故障，通常以FIT率的形式進行量化。FIT率說明了某一類型的設備在一定時期內(nèi)預期有多少次故障。目前，宇宙射線效應主要制約著大功率硅器件的FIT率。
2022-07-13
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超寬壓鐵路電源方案的分析與對比
全球主流鐵路系統(tǒng)呈現(xiàn)多電壓供電，導致電源模塊無法歸一化實現(xiàn)掉電保持功能，增加了客戶應用系統(tǒng)的設計難度和管理成本。為兼容超寬全電壓輸入范圍和電容歸一化，金升陽利用自主IC的優(yōu)勢發(fā)明了一種主動式掉電保持電路。本文通過分析市面上幾種常見鐵路電源方案的優(yōu)缺點，對超寬壓鐵路電源方案進行對比與總結。
2022-07-13
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題
這篇微信文章，其實構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題。
2022-07-12
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25kW SiC直流快充設計指南(第八部分完結篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
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貿(mào)澤榮獲Vishay頒發(fā)的三項年度分銷商大獎
2022年7月8日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時獲得知名電子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發(fā)的三項大獎。這三個獎項分別為2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務分銷商、2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務半導體分銷商和2021年度EMEA優(yōu)質(zhì)服務分銷商。
2022-07-08
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構建高效通信連接，貿(mào)澤將攜手Molex舉辦汽車天線解決方案在線研討會
2022年7月7日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Molex于7月12日14:00-15:00舉辦主題為“車輪上的數(shù)據(jù)中心－Molex天線解決方案”的直播研討會。屆時，來自Molex的技術專家將為觀眾分享應用于汽車上的不同類型的天線方案，幫助工程師面對不同場景時，能夠快速設計出高效的汽車通信產(chǎn)品。
2022-07-07
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25kW SiC直流快充設計指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個可擴展系統(tǒng)的整體架構和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設計和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設計部分講完了，除了輔助電源設計的相關內(nèi)容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展，半導體技術的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案，在SiC領域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩(wěn)定可靠的平面SiC技術，結合燒結技術和壓鑄模封裝，幫助設計人員解決上述挑戰(zhàn)，配合公司其他先進的智能功率電源半導體，加快市場采用電動車，助力未來的交通邁向可持續(xù)發(fā)展。
2022-07-07
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貿(mào)澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發(fā)的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產(chǎn)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器及開關穩(wěn)壓器的電源制造商。在頒獎典禮上，RECOM表彰了貿(mào)澤在新產(chǎn)品引入和全球客戶增長方面的卓越表現(xiàn)。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內(nèi)部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數(shù)如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內(nèi)部芯片的信號，芯片Q1內(nèi)包含寄生電阻Rgint=4?。
2022-07-06
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關鍵作用
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