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MVG攜手思博倫推動OTA測試
天線測量解決方案領導者Microwave Vision Group（MVG）近日宣布，思博倫通信（思博倫）的GSS7000 GNSS模擬器已成功集成到MVG的OTA測試及無源天線測試系統中。MVG能夠對天線進行表征和評估，以測試無線連接性、可靠性和標準合規性。
2022-11-01
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2022年“創造未來”設計大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權分銷商和“創造未來”設計大賽贊助商貿澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團隊表示祝賀，特別頒獎晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽，由貿澤與其重要供應商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法
實現更高功率密度的障礙是什么？實際上，熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性，既無法忽略也不能使用系統級過濾元件“優化”。要緩解系統過熱問題，需要在開發過程的每個步驟中進行關鍵的微調，以便設計能夠滿足給定尺寸約束下的系統要求。以下是 TI 專注于優化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關鍵領域。
2022-11-01
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庖丁解?？垂β势骷p脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發生在器件研發、器件生產、系統應用等各個環節，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。
2022-10-28
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無需電流采樣電阻的智能電機驅動IC，不來了解一下么？
第二次工業革命，將人們從農業時代推送到了電氣時代，在人們不斷發明創造的今天，已經實現了很多產品的自動化，這些都是離不開電機的。電機其實也是分好多種。比如，直流電機、交流電機、有刷電機、無刷電機和步進電機等等，這些電機在我們的生活中隨處可見。
2022-10-27
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防反保護電路的設計（下篇）
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護電路的設計。 上篇 介紹了各種脈沖干擾以及在汽車電子產品中設計防反保護電路的必要性，同時回顧了 PMOS 方案保護電路的特性；本文為下篇，將討論使用 NMOS 和升降壓驅動 IC 實現的防反保護電路。
2022-10-27
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第一部分——IC制造生命周期關鍵階段之安全性入門
本文包括兩部分，我們主要探討芯片供應商和OEM之間的相互關系，以及他們為何必須攜手合作以完成各個制造階段的漏洞保護。第一部分指出了IC制造生命周期每個階段中存在的威脅，并說明了如何解決這些威脅。第二部分著重說明了OEM所特有的安全風險，并指出了最終產品制造商和芯片供應商如何承擔各自的責任。這些內容將圍繞以下問題進行闡釋，即OEM和芯片供應商對各自生產階段的風險各負其責，以此來阻止大多數安全攻擊。
2022-10-25
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貿澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯網技術研討會
貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic于10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專題技術研討會。屆時，來自Nordic的資深技術專家將為大家帶來Nordic的超低功耗產品在物聯網方面的開發，助力工程師設計出更具性能優勢的產品。
2022-10-20
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及，因為一些最初的可靠性問題已經解決，并且價格水平已經達到了非常有吸引力的點。隨著市場上的器件越來越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業界總是嘗試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
- 線繞電阻在電力電子與工業控制中的關鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫療設備中的高精度應用和技術實踐
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