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Hittite推極低噪聲線性穩壓器
Hittite Microwave公司推出一款低噪聲，高電源抑制比，四路輸出的線性穩壓器HMC860LP3E。該產品具有低噪聲的帶隙參考……
2010-02-08
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電源中的負載管理與負載開關設計與實現
電源給各個電路供電，各個電路就是電源的"負載"。例如發射電路及接收電路是電源的負載，功率放大電路也是電源的負載。另外，電源的負載還包括一些器件（如LED）或一些其他產品（如硬盤、直流電動機等）。多功能的便攜式電子產品有很多功能電路組成，隨著工作電壓的不同，對電源的要求也不相同，因此有多個電源。要實現負載管理并不容易，現代的負載管理是由微處理器、電源管理IC及負載開關組成。本文介紹電源中的負載管理與負載開關設計與實現。
2010-02-08
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友達光電用氧化物TFT開發出37英寸全高清液晶面板
臺灣友達光電（AU OptronicsAUO）用基于透明非晶氧化物半導體（TAOS）的TFT（TAOS-TFT）試制出了全高清（1920×1080像素）37英寸液晶面板……
2010-02-04
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力科WaveMaster 8Zi示波器榮贗Electronics Design 09年度“Best in Test”
測試設備供應商每年都改進之前的示波器，2009也不例外。力科WaveMaster 8 Zi系列數字示波器，串行數據分析員，磁盤驅動器分析儀是力科最大帶寬、最快的實時示波器，提供了80GS/s采樣率，512Mpts的分析深度和15GHz以上的邊沿觸發帶寬。
2010-02-04
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Vishay Siliconix 發布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-02-04
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California Micro Devices推出超低電容的ESD器件CM1227
California Micro Devices推出超低電容的ESD器件CM1227，PicoGuard CM1227 ESD器件超低通道輸入電容為0.35pF，適合用于高速數字消費電子應用中。該器件可提供4個通道的±15kV接觸ESD保護，超過了IEC61000-4-2 4級標準。
2010-02-02
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飛兆半導體榮獲泉峰集團之合作伙伴獎項
專業提供可提升 能效 的高性能產品全球領先供應商 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)宣布，獲得國內頂級電動工具制造商泉峰集團 (Chervon Group) 所頒發的合作伙伴獎項。
2010-02-02
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SIMPLE SWITCHER：美國國家半導體推出全新電源模塊
美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出全新SIMPLE SWITCHER 電源|穩壓器模塊系列的前三款產品。該系列全新的高集成度電源模產品以LMZ為代號，其優點是易于使用，能夠節省工程師的設計時間，從而加快產品上市進程。由于此系列電源模塊內置高效率的同步開關穩壓器及簡易線性穩壓器，因此無需像開關穩壓器那樣需要額外加設外置電感器，系統的線路布局更加簡單。美國國家半導體將在二零一零年內陸續推出 SIMPLE SWITCHER 電源模塊系列其他型號的產品。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠商推出便攜式太陽能充電器
由日本周邊廠商Linksinternational推出一款便攜式太陽能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設備。
2010-02-01
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力科眼圖醫生與HSPICE仿真的對比研究
本文使用力科示波器的眼圖醫生軟件和Synopsys公司的HSPICE仿真同一個背板系統，并把兩種方法的仿真結果和實際測試波形對比，分析和驗證了兩種方法的精度與優缺點，對于高速背板設計提供了新的思路。
2010-02-01
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意法半導體發布封裝尺寸僅2mm×2mm的3軸加速度傳感器
意法半導體（STMicroelectronics）發布了實現小型化及低耗電的3軸MEMS加速度傳感器。封裝尺寸為2mm×2mm，達到了業界最高水平。耗電量最小可減至數μA以下。主要用于手機等要求小尺寸、低耗電的消費類電子設備。
2010-01-29
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術博弈
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