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IGBT 脈沖測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)?正確選擇脈沖測(cè)量
采用快速 IGBT 開(kāi)關(guān)的脈沖測(cè)量方法應(yīng)用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件，從小型 SMD 電感器到重達(dá)幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。
2024-10-08
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過(guò)可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開(kāi)通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過(guò)大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過(guò)采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-09-25
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開(kāi)、關(guān)狀態(tài)間變化會(huì)產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開(kāi)關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個(gè)全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過(guò)集成第二代逆導(dǎo)型IGBT，可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個(gè)帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)可向控制器提供模擬反饋信號(hào)的溫度監(jiān)測(cè)器，從而最大限度地減少了對(duì)外部元件的需求。得益于這些特性，這個(gè)新的IPM系列的產(chǎn)品堪稱冰箱和洗衣機(jī)等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書中提供。
2024-06-08
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無(wú)論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測(cè)的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說(shuō)得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展，華為 華天 長(zhǎng)電 上海華力等頭部企業(yè)6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會(huì)展有限公司聯(lián)合中國(guó)通信工業(yè)協(xié)會(huì)、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、東莞巿集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：SEMI-e）將在深圳會(huì)展中心4.6.8號(hào)館盛大召開(kāi)，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，展示以設(shè)計(jì)、芯片、晶圓制造與封裝，半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件，先進(jìn)材料，第三代半導(dǎo)體/IGBT，汽車半導(dǎo)體/車規(guī)級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，全面展示了半導(dǎo)體行業(yè)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新亮點(diǎn)、新趨勢(shì)，構(gòu)建起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流融合的新生態(tài)。展出面積60,000平方米，800家超高質(zhì)量展商齊聚，打造華南半導(dǎo)體領(lǐng)域最具有影響力和代表性的行業(yè)盛會(huì)。
2024-04-30
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
- 2025機(jī)器人+應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈新一輪加速發(fā)展藍(lán)皮書》電子版限免下載！
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