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應用于線性區功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開控制方法
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法，不僅適用于負載開關，還廣泛用于電機控制功率MOSFET或IGBT驅動電路。
2018-12-29
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解析三菱電機6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內部結構和電氣特性，相對于傳統的Si IGBT模塊、傳統全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態特性、動態特性和損耗方面優勢明顯。
2018-09-14
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負電壓電源設計的種類
各位工程師在設計電路時，可能會遇到需要負電壓供電的系統，例如使用負電壓為IGBT提供關斷負電壓、運放系統中用正負對稱的偏置電壓供電。那么該如何產生一個穩定可靠的負電壓呢？本文將為你介紹不同的解決方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二極管提供過壓保護？
當IGBT在高性能應用中高速接通和斷開時，總會發生過壓。例如，當關閉負載電流電路時，集電極發射極電壓突然上升，達到非常高的峰值。由開關引起的過電壓會嚴重損壞甚至破壞開關晶體管。
2018-08-01
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【揭秘】隔離式柵極驅動器
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發射極。
2018-07-24
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堪稱工業中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。
2018-07-18
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詳解MOSFET與IGBT的本質區別
本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。
2018-07-13
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英飛凌TRENCHSTOP IGBT6將緊湊型電機控制器總損耗減少20%以上
電機作為智能家電的核心部件，對現代生活有著至關重要的影響。在家庭電能消耗比例中，電機耗電占家庭耗能20%以上，因此電機節能成為家庭節能中最為關注的問題。在各式家電應用中，如家電風機、壓縮機、水泵、洗衣機、洗碗機、商業縫紉機和吸塵器等，電機控制器的功率高達1KW，且要求產品高效率、高可靠性和長壽命！這些緊湊型電機控制器均要求器件必須具有低損耗且好的熱特性。貝能國際力推英飛凌高效電機驅動解決方案，基于TRENCHSTOP? IGBT6將緊湊型電機控制器總損耗減少20%以上。
2018-06-13
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光伏逆變器電感元件及其技術趨勢
全控型逆變器工作原理：為通常使用的單相輸出的全橋逆變主電路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脈寬調制控制IGBT管的導通或截止。
2018-05-31
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高效能IGBT為高功率應用加把勁
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應用中相當常見的器件，可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體（ON Semiconductor）所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解。
2018-05-09
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解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預估模型
本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗在不同的濕度和不同的電壓下進行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數都集成到壽命預估模型中。通過試驗，我們同時發現濕度對高壓IGBT模塊的壽命有很大影響。
2018-03-14
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集成分流器的EconoDUAL 3 IGBT模塊有助于降低系統成本
英飛凌科技股份公司將EconoDUAL? 3模塊集成度提升到一個全新水平：通過集成分流電阻，在交流路徑上進行電流監測。這些器件的應用有助于逆變器制造商降低成本、提高性能并簡化設計。集成分流器的EconoDUAL 3模塊可廣泛用于多種應用領域，如通用變頻器、不間斷電源和太陽能逆變器等。另外，也非常適合用于電動農業和商用車輛及電動客車。
2018-02-24
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術博弈
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