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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區以內，還要對器件及系統的熱特性進行精確設計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關損耗
器件緩沖似乎是處理開關過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調諧的優良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識，但在高功率范圍的IGBT應用中，IGBT控制電路的復雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導體憑碳化硅器件躋身行業前列 聚焦新賽道持續研發穩固核心競爭力
近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來的產品規劃，會從傳統消費市場擴展到工業和汽車領域應用布局，更加著眼在消費電子、可再生能源、大數據和汽車電子領域，以及針對與國內外眾多知名客戶的合作內容和解決方案展開了交流。
2021-08-04
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如何提高汽車芯片進化電池管理系統的可靠性？
新能源汽車最核心和最貴的兩個器件是 IGBT 和電芯，圍繞這兩個器件其實在三電系統檢測和保護中芯片起到了很大的作用，隨著汽車內電壓從 12V、48V、200V+、400V+最后到 800V，監測和保護的芯片電路的功能重要性也越來越重要。當然這部分成本在 BMS、逆變器里面也占了不小的成本比例。
2021-08-03
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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的系統成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現了電流的雙向流動，更易于反轉功率流方向。VSC可以控制AC側的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴于AC網絡，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現雙向電流流動。
2021-07-08
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術博弈
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