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自動(dòng)電池充電器
您是否嘗試過設(shè)計(jì)一個(gè)電池充電器，當(dāng)電池電壓低于規(guī)定電壓時(shí)自動(dòng)為電池充電？本文將向您介紹如何設(shè)計(jì)自動(dòng)電池充電器。
2023-07-26
自動(dòng)電池充電器
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為什么Tier1要開發(fā)控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本。可見，SBC在控制器開發(fā)中的重要性。對(duì)于商業(yè)行為，我們知道，降低成本意味著利潤(rùn)的提高，而且，有利于產(chǎn)品搶占更大的...
2023-07-26
控制器 電源管理芯片
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如何使用LM317T創(chuàng)建可變電壓電源
借助在 PSU輸出中添加的少量附加電路，我們可以擁有一個(gè)臺(tái)式電源，能夠承受一系列固定或可變電壓，無論是正電壓還是負(fù)電壓。事實(shí)上，這比您想象的要簡(jiǎn)單得多，因?yàn)?PSU事先已經(jīng)完成了變壓器、整流和平滑，我們需要做的就是將附加電路連接到 +12 伏黃線輸出。但首先，讓我們考慮固定電壓輸出。
2023-07-26
LM317T 可變電壓電源
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會(huì)提供一個(gè) USB 充電端口，該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時(shí)為移動(dòng)設(shè)備充電。對(duì)這些系統(tǒng)而言，選擇帶 USB 限流開關(guān)的汽車級(jí) IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應(yīng)用中。
2023-07-25
USB Type-C 充電器 控制芯片
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如何通過低噪聲和低紋波設(shè)計(jì)技術(shù)來增強(qiáng)電源和信號(hào)完整性
工程師在為采用時(shí)鐘、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器或放大器的醫(yī)療應(yīng)用、測(cè)試和測(cè)量以及無線基礎(chǔ)設(shè)施的噪聲敏感型系統(tǒng)設(shè)計(jì)電源時(shí)，經(jīng)常遇到的一個(gè)問題是如何提高準(zhǔn)確度和精度，并最大限度降低系統(tǒng)噪聲。鑒于不同的人對(duì)“噪聲”這個(gè)術(shù)語有不同的理解，我在此聲明，本篇文章講述的噪聲是指電路中電阻器和晶體管所產(chǎn)生的低...
2023-07-25
低噪聲 低紋波 電源
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如何表征電源變壓器的 EMI 性能
電源變壓器通常是隔離開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中共模噪聲的主要來源。為什么？因?yàn)樵谧儔浩鲀?nèi)部，隔離柵初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的繞組非常接近（通常間隔小于 1 毫米），導(dǎo)致相鄰繞組之間存在顯著的寄生電容。
2023-07-24
電源變壓器 EMI
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平面變壓器有利于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
長(zhǎng)期以來，變壓器一直是DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的痛點(diǎn)和難點(diǎn)。因?yàn)樗鼈凅w積大、價(jià)格貴且難以制造。通過閱讀本篇文章，你可以了解平面變壓器是如何提高質(zhì)量并降低低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)成本。
2023-07-24
變壓器 DC/D 轉(zhuǎn)換器
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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇，同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性，從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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