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并聯(lián)電阻器在電路中的應(yīng)用
這種倒數(shù)計算方法可用于計算在單個并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中連接在一起的任意數(shù)量的單個電阻。然而，如果只有兩個并聯(lián)的獨立電阻器，那么我們可以使用更簡單、更快捷的公式來計算總電阻值或等效電阻值 R T ，并有助于稍微減少數(shù)學(xué)倒數(shù)。
2023-06-20
并聯(lián)電阻器 電路應(yīng)用
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用開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計您自己的DC-DC轉(zhuǎn)換器
通過使用開關(guān)穩(wěn)壓器，可以顯著抑制電路的發(fā)熱量，不僅更節(jié)能，還可以減小散熱器尺寸，從而能夠減小電路規(guī)模并設(shè)計出低發(fā)熱的電源電路。
2023-06-20
開關(guān)穩(wěn)壓器 DC-DC轉(zhuǎn)換器
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利用先進形式驗證工具來高效完成RISC－V處理器驗證
RISC-V的開放性允許定制和擴展基于RISC-V內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對設(shè)計自由的渴望也正在將驗證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而，隨著越來越多的企業(yè)和開發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗證絕非易事。新標準由于其新穎和靈活性而帶來的新功能會在無意中產(chǎn)生規(guī)...
2023-06-16
驗證工具 RISC－V處理器 驗證
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
SiC 肖特基二極管
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如何在電壓不穩(wěn)的情況下保障SSD的穩(wěn)定性能？
不穩(wěn)定的電源是遠程和極端環(huán)境中設(shè)備面臨的常見挑戰(zhàn)，這可能會嚴重影響固態(tài)驅(qū)動器（SSD）的操作。啟動和關(guān)閉過程中的不穩(wěn)定電源，可能會導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰和系統(tǒng)重啟等問題。
2023-06-16
電壓 SSD 穩(wěn)定性能
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自加熱Vbe 晶體管恒溫器無需校準
一種明顯的替代方法是使用晶體管 Vbe tempco 進行溫度自檢測，由于其明顯的簡單性而很有吸引力，但在實踐中，它的實用性受到不可預(yù)測的晶體管 Vbe 可變性的限制。在參考文獻 1 中，的模擬大師 Jim Williams 解釋了這個問題如何需要初始傳感器晶體管校準（如果傳感器需要更換，則需要重新校準）。
2023-06-16
自加熱Vbe 晶體管恒溫器
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使用基于Raspberry Pi的DDS信號發(fā)生器實現(xiàn)精確RF測試
在涉及射頻(RF)的硬件測試中，選擇可配置、已校準的可靠信號源是其中最重要的方面之一。本文提供了基于Raspberry Pi的高度集成解決方案，其可用于合成RF信號發(fā)生器，輸出DC至5.5 GHz的單一頻率信號，輸出功率范圍為0 dBm至-40 dBm。所提出的系統(tǒng)基于直接數(shù)字頻率合成(DDS)架構(gòu)，并對其輸出功率與頻...
2023-06-16
Raspberry Pi 信號發(fā)生器 RF
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反向電流阻斷電路設(shè)計
反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過系統(tǒng)。
2023-06-15
反向電流阻 電路設(shè)計
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LoRa與短距離、長距離無線技術(shù)對比
LoRa既屬于短距離物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)，又屬于長距離物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)。本小節(jié)通過對比的方式，從短距離與長距離的視角分析LoRa的特點。
2023-06-15
LoRa 無線技術(shù)
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