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霍尼韋爾新增兩款新的100°和180°角位移傳感器
霍尼韋爾近日宣布旗下傳感與控制部在其原有的“智能位置傳感器SPS系列”中再推出兩款新構形的傳感器——100° 和 180°角位移傳感器。
2011-04-07
智能位置 傳感器 位移
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獨家：電子分銷商如何抵御日本強震沖擊波
3.11日本大地震爆發后，整個電子行業都在關注地震將對未來產業鏈造成的影響。為了近距離觀察電子元器件供應鏈在這一突發事件中所面臨的挑戰，CNT對中國電子分銷商聯盟（CEDA）的核心會員單位進行了獨家調查，深度解讀一線渠道商對后市的預測，以及他們的策略調整。
2011-04-06
分銷商 日本地震 晶振 IC
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美研究發現納米線晶體管表現量子限制效應
美國得克薩斯大學的一個研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管，表現出明顯的量子限制效應，納米線的直徑越小，電流越強。該技術有望在生物感測、集成電路縮微制造方面發揮重要作用。
2011-04-06
納米晶體管 量子限制效應 集成電路
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霍尼韋爾推出推出單面液體介質選項適用于潛在醫療應用
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出一種“單面液體介質選項”，從而延伸了其涵蓋范圍廣的TruStability?壓力傳感器產品線。
2011-04-06
單面液體介質 壓力傳感器 保護傳感器
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第七屆電路保護與電磁兼容技術研討會即將隆重開幕
研討會將在2011年4月8日在深圳會展中心五樓菊花廳隆重召開，美國AEM科技、美國Bourns、日本村田制作、太陽誘電、深圳順絡、金華電子、東莞貝特電子、蘇州泰思特等國際和國內領先保護電路和電磁兼容技術公司將再次聚集深圳，圍繞華南電子制造商對設計周期、成本和供貨周期的特殊要求，探討電路保護與...
2011-04-02
電路保護 電磁兼容 ESD EMC EMI AEM科技 村田制作 2011szbd
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采用UC3901控制芯片高壓電源模塊設計方法
為了提高高壓電源系統的可靠性，減小高壓電路對低壓電路的影響，高壓與低壓電路應當相互隔離。在高可靠的應用場合(如抗輻照)或隔離要求較高(如2500 V以上)的場合，光耦隔離顯得力不從心，這時的磁反饋隔離是一種比較合適的控制電路隔離方法……
2011-04-02
電源 磁反饋 整流電路
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電源模塊的電磁干擾設計
電源設計中即使是普通的直流到直流開關轉換器的設計都會出現一系列問題，尤其在高功率電源設計中更是如此。除功能性考慮以外，工程師必須保證設計的魯棒性，以符合成本目標要求以及熱性能和空間限制，當然同時還要保證設計的進度。另外，出于產品規范和系統性能的考慮，電源產生的電磁干擾(EMI)必須...
2011-04-02
電源 電磁干擾 降壓
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SL353系列：霍尼韋爾推出微功耗全極數字式霍爾效應傳感器集成電路
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全極數字式霍爾效應傳感器集成電路”。SL353系列采用BiCMOS IC設計，這是霍尼韋爾的一項新技術，相對雙極技術而言，該技術在增添更多性能和功能的同時減小集成電路的尺寸。
2011-04-01
微功耗 全數字 霍爾效應傳感器
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
2011-04-01
溝道功率 MOSFET 導通電阻
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