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實現(xiàn)車輛組網(wǎng)的無縫連接
如今的汽車搭載創(chuàng)新技術(shù)，并使用成百上千個半導(dǎo)體提升智能化、電氣化和安全水平。從空調(diào)座椅到定制燈光效果，半導(dǎo)體芯片能改善舒適程度；在某些車輛中，還可以通過多個觸摸屏或智能手機應(yīng)用支持這些功能。
2024-04-24
車輛組網(wǎng)
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技術(shù)領(lǐng)先的中國功率半導(dǎo)體器件制造商——蘇州固锝參展 2024 華南展
5月15日-17日，一家技術(shù)領(lǐng)先的中國功率半導(dǎo)體器件制造商——蘇州固锝電子股份有限公司參展AUTO TECH 2024 廣州國際汽車技術(shù)展覽會，與您相約廣州保利世貿(mào)博覽館。作為汽車科技創(chuàng)新展示平臺，組委會將邀請諸如廣汽、比亞迪、日產(chǎn)、豐田、本田、特斯拉、小鵬、蔚來、理想、東風(fēng)、長安、上汽、吉利、長城...
2024-04-23
半導(dǎo)體器件制造商
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羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議，擴大碳化硅襯底供應(yīng)
羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴大合作。根...
2024-04-23
羅姆集團(tuán) SiCrystal 意法半導(dǎo)體 碳化硅
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MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設(shè)和加速器，可提供多任務(wù)功能和高能效。部分MCX N系列產(chǎn)品包含恩智浦面向機器學(xué)習(xí)應(yīng)用的eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲器和帶ECC檢測的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護(hù)和保證。這些安全MCU包含...
2024-04-23
MCX N 微處理器 NPU
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低壓MOS在光伏優(yōu)化器(MPPT)上的應(yīng)用
光伏優(yōu)化器，英名簡稱MPPT，又稱光伏功率優(yōu)化器和組件功率優(yōu)化器，是一種智能設(shè)備，旨在提高光伏組件的能源效率和穩(wěn)定性。
2024-04-21
低壓MOS 光伏優(yōu)化器 REASUNOS 瑞森半導(dǎo)體
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高帶寬電源模塊消除高壓線路紋波抑制的干擾
汽車電氣化可能是我們這個時代影響最廣的電源挑戰(zhàn)。這是汽車 OEM 廠商在從內(nèi)燃機向純電動汽車轉(zhuǎn)型的過程中面臨的一個全球性問題。各地的研發(fā)團(tuán)隊都在探索新的方法，試圖找到更好的解決方案來解決新舊電源的難題。
2024-04-20
高帶寬 電源模塊 紋波抑制 干擾
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意法半導(dǎo)體公布2024年第一季度財報和電話會議時間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)將在2024年4月25日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第一季度財務(wù)數(shù)據(jù)。
2024-04-18
意法半導(dǎo)體
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設(shè)計具有 AMR 角度傳感器的位置感應(yīng)系統(tǒng)
隨著各國政府出臺舉措來推動減少內(nèi)燃機 (ICE) 汽車排放的溫室氣體，原始設(shè)備制造商 (OEM) 紛紛將機械系統(tǒng)重新設(shè)計為電子控制系統(tǒng)。高水平的系統(tǒng)連接和智能技術(shù)使自動駕駛汽車成為現(xiàn)實，因此市場對電子產(chǎn)品和軟件算法的需求不斷增長，以符合包括國際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 26262 在內(nèi)的各項安全要求。
2024-04-17
AMR 角度傳感器 位置感應(yīng)系統(tǒng)
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項技術(shù)更進(jìn)一步。這些器件基于獨特...
2024-04-15
Qorvo SiC FET SiC MOSFET
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