如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
文章總結(jié)了在IPOSIM中Rthha參數(shù)，在兩電平和三電平應(yīng)用中的定義與設(shè)置，以及一些常見的問題，期望對大家如何正確選取Rthha進行準確的IPOSIM仿真有所幫助。詳細閱讀>>
干貨
當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值。可以理解為熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了 1W熱量所引起的 溫升大小，單位為 K/W或℃/W。可以用一個簡單的類比來解釋熱阻的意義，換熱量相當于電流，溫差相當于電壓，則熱阻相當于電阻。
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放大器參數(shù)的性能通常會受溫度影響，而溫度的變化來源包括環(huán)境溫度波動，以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態(tài)功耗、輸出級晶體管功耗，本篇將討論二者與熱阻參數(shù)對溫度影響的評估方法。詳細閱讀>>
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實際的應(yīng)用中，DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件，都會在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮，然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上，加強散熱。理論上，PCB板銅皮鋪的面積越大，總熱阻就越低，器件的溫升就越低。詳細閱讀>>
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功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命，數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)熱阻的測量方法，以及它們的限制條件。詳細閱讀>>
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LED應(yīng)用于照明除了節(jié)能外,長壽命也是其十分重要的優(yōu)勢。目前由于LED熱性能原因,LED及其燈具不能達到理想的使用壽命;LED在工作狀態(tài)時的結(jié)溫直接關(guān)系到其壽命和光效;熱阻則直接影響LED在同等使用條件下LED的結(jié)溫;LED燈具的導(dǎo)熱系統(tǒng)設(shè)計是否合理也直接影響燈具的壽命。因此功率型LED及其燈具的熱性能測試,對于LED的生產(chǎn)和應(yīng)用研發(fā)都有十分直接的意義。詳細閱讀>>
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圖1為目前高功率LED封裝使用的結(jié)構(gòu)， LED芯片會先封裝在導(dǎo)熱基板上，再打金線及封膠，這LED封裝結(jié)構(gòu)體具備輕巧，高熱導(dǎo)及電路簡單等優(yōu)點，可應(yīng)用在戶外及室內(nèi)照明。基板的選擇中，氧化鋁 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在應(yīng)用的材料，其中氧化鋁基板因是絕緣體，必須有傳導(dǎo)熱設(shè)計，藉由電鍍增厚銅層達75um；而硅是優(yōu)良導(dǎo)熱體，但絕緣性不良，必須在表面做絕緣處理。詳細閱讀>>
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一位工程師朋友最近正在寫熱分析和熱設(shè)計的東西，小編就借花獻佛在這分享下這位工程師整理的關(guān)于熱分析和熱設(shè)計的知識和資料，與大家分享，共同探討。詳細閱讀>>
基礎(chǔ)知識
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將介紹每種熱傳遞方式的熱阻。首先從"傳導(dǎo)"中的熱阻開始。下面將具體介紹熱能是如何在物質(zhì)中通過熱傳導(dǎo)的方式進行轉(zhuǎn)移的。詳細閱讀>>
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產(chǎn)生的熱量通過傳導(dǎo)、對流和輻射的方式經(jīng)由各種路徑逸出到大氣中。由于我們的主題是"半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計"，因此在這里將以...詳細閱讀>>
隨著對更小，更快和更高功率器件的持續(xù)工業(yè)趨勢，熱管理變得越來越重要。不僅設(shè)備趨向于小型化，而且安裝在其上的電路板也在縮小。將器件單元盡可能靠近地放置在更小的板上有助于降低整個系統(tǒng)尺寸和成本，并提高電氣性能。這些改善當然很重要，但從熱的角度來看，在減小尺寸的同時提高功率會帶來更多的散熱挑戰(zhàn)。正是這種"功率密度"的提高推動了業(yè)界對熱管理的高度重視。
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