為了限制本討論的范圍，請考慮采用同步降壓轉換器拓撲的MOSFET選擇方法，該方法適用于PC主板和電信應用的DC / DC轉換器。為特定應用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關頻率，電流，占空比以及開關上升和下降時間。此信息指導選擇工具開發。
鑒于現有的MOSFET選擇范圍廣泛，以及為主板電源分配的不斷縮小的空間，使用可靠，一致的方法選擇正確的MOSFET變得越來越重要。這種方法可以加速開發周期，同時優化特定于應用的設計。詳細閱讀>>
干貨
“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。小信號MOSFET主要用于模擬電路的信號放大和阻抗變換，但也可應用于開關或斬波。功率MOSFET除少數應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數用作開關和驅動器，工作于開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強型MOSFET，它具有優良的開關特性。
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功率MOSFET工作在線性區用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數區，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩定性區域ETI (Electro Thermal Instability)，發生于VGS低于溫度系數為0（ZTC）的負溫度系數區。詳細閱讀>>
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以下將詳細介紹功率MOSFET最基礎的知識，包括：什么是MOSFET，MOSFET的結構、工作原理、基本特性、幾個常用參數、選型原則等，保證大家看完就懂！詳細閱讀>>
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意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。詳細閱讀>>
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通信設備和服務器中，在插入和拔出電路板和板卡進行維修或者調整容量時，系統必須能夠保持正常工作。當后級的電路板和板卡接入前級電源系統時，由于后級電路輸入端帶有大的濾波電容，那么，在上電的瞬間電容相當于短路，大的電容充電電流和負載電流一起作用，產生大的浪涌電流，同時大的浪涌電流導致高的電流和電壓變化率，對系統產生一系列的安全問題。詳細閱讀>>
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功率場效應晶體管由于承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求，計算了MOSFET驅動器的功耗及MOSFET驅動器與MOSFET的匹配之后，在此基礎上設計了基于IR2130驅動模塊的MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在驅動無刷直流電機的應用中證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。詳細閱讀>>
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以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法，不僅適用于負載開關，還廣泛用于電機控制功率MOSFET或IGBT驅動電路。詳細閱讀>>
經典案例
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功率MOSFET的結溫影響器件許多工作參數及使用壽命，數據表中提供了一些基本的數據來評估電路中功率MOSFET的結溫。本文主要來說明MOSFET的穩態和動態熱阻的測量方法，以及它們的限制條件。詳細閱讀>>
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功率MOSFET有三個工作狀態，在漏極導通特性曲線上，對應的是三個工作區：截止區，線性區和可變電阻區。注意到：MOSFET的線性區有時也稱為：恒流區或飽和區。詳細閱讀>>
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使用功率MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。詳細閱讀>>
近年來，功率MOSFET廣泛地應用于電源、計算機及外設（軟、硬盤驅動器、打印機、掃描器等）、消費類電子產品、通信裝置、汽車電子及工業控制等領域。
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