- 外部量子效率可提高到90～95％
- 光檢測(cè)能力可提高到1.5～2倍
- 在半導(dǎo)體上形成硅量子點(diǎn)薄膜
- 圖像傳感器
美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)InVisage Technologies公開了采用硅量子點(diǎn)的圖像傳感器技術(shù)。據(jù)介紹，采用這種該公司稱為“QuantumFilm”的技術(shù)，外部量子效率可提高到90～95％，與此前的CMOS圖像傳感器相比，光檢測(cè)能力可提高到1.5～2倍左右。該公司總裁兼首席執(zhí)行官Jess Lee表示，“我們認(rèn)為，要促使基于半導(dǎo)體技術(shù)的圖像傳感器領(lǐng)域發(fā)展，較為理想的做法是以全新的思維重新開發(fā)”。Lee以前曾在美國(guó)知名圖像傳感器企業(yè)豪威科技（OmniVision Technologies）擔(dān)任過(guò)副總裁。
作為采用QuantumFilm技術(shù)的首款產(chǎn)品，InVisage比較關(guān)注手機(jī)用圖像傳感器市場(chǎng)。預(yù)定2010年第四季度開始樣品供貨。2011年中期開始量產(chǎn)。
終端廠商可像迄今的圖像傳感器一樣使用InVisage的圖像傳感器。目前尚未公開產(chǎn)品化初期時(shí)圖像傳感器的功能及價(jià)格等詳情。關(guān)于價(jià)格，該公司的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)“價(jià)格與市售的500～800萬(wàn)像素產(chǎn)品相同，而性能卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原產(chǎn)品”（Lee）。
特點(diǎn)是在半導(dǎo)體上形成硅量子點(diǎn)薄膜
InVisage開發(fā)的QuantumFilm技術(shù)，需要在普通的CMOS層上形成0.5μm厚的膜。這種膜上嵌有2～5nm直徑的硅量子點(diǎn)。這種薄膜可進(jìn)行光檢測(cè)，還可將轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的信息轉(zhuǎn)送至膜下面的半導(dǎo)體層。另外，此次未公開膜使用的材料。據(jù)介紹，硅量子點(diǎn)膜沒有使用違反RoHS指令的物質(zhì)。
Lee表示，普通的CMOS圖像傳感器，進(jìn)行光檢測(cè)的硅層外部量子效率約為50％。并且，光照射到硅層之前需要經(jīng)過(guò)彩色濾光片和金屬層，所以光量會(huì)減少50％左右。因此，“為了提高光檢測(cè)能力，原來(lái)的CMOS圖像傳感器廠商會(huì)采用背面照射技術(shù)，或?qū)?5nm工藝等最尖端制造技術(shù)。而我們的方法是對(duì)膜下層的硅半導(dǎo)體使用8英寸晶圓的110nm工藝”（Lee）。
據(jù)介紹，InVisage的圖像傳感器制造工藝，采用可追加到普通半導(dǎo)體生產(chǎn)線上的裝置，并在CMOS層上形成硅量子點(diǎn)膜。該公司將圖像傳感器的生產(chǎn)委托給了臺(tái)灣臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing）。
除了圖像傳感器領(lǐng)域以外，InVisage還稱，正在考慮將其技術(shù)應(yīng)用于太陽(yáng)能電池及顯示器領(lǐng)域。
