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GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設計
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結構。射頻功率放大器管芯由原來的兩個減少為一個，同時此結構射頻功率放大器及輸出匹配網絡與CMOS控制器、射頻開關集成至一個芯片模塊，組成 GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊。
2011-10-05
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GJM02系列：0402尺寸高Q值獨石陶瓷電容器實現了商品化
世界首創! 0402尺寸高Q值獨石陶瓷電容器實現了商品化伴隨著手機等小型便攜式電子設備向高性能化方向的發展，安裝在電子設備中的元件的數量正在不斷增加，因此對占板面積小的小型化元件的需求正在逐漸增多。受此影響，市場上特別需要應用于功率放大器等高頻模塊的高Q值獨石陶瓷電容器實現更小型化。為了應對這種需求，針對至今為止最小型的0603尺寸 (0.6×0.3mm) 高Q值獨石陶瓷電容器，我公司積極開展了開發外形尺寸更小的產品的工作。經過努力，我們最終實現了世界首創的0402尺寸GJM02系列產品的商品化。
2011-10-04
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RF中穩定閉環自動功率控制設計
本文所述電路利用一個VGA(ADL5330)和一個對數檢波器(AD8318)提供閉環自動功率控制。由于AD8318具有較高的溫度穩定性，而且AD8318 RF檢波器可確保ADL5330 VGA的輸出端具有同樣水平的溫度穩定性，因此該電路在整個溫度范圍都能保持穩定。該電路還增加了對數放大器檢波器，用來將ADL5330從開環可變增益放大器轉換為閉環輸出功率控制電路。AD8318與ADL5330一樣，具有線性dB傳遞函數，因此Pout對設定點傳遞函數也遵循線性dB特性。
2011-10-04
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D類MOSFT在發射機射頻功放中的應用
利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態，從而提高整機效率，改善技術性能，同時使發射機的射頻功率放大器處于低電壓范圍，有利于設備的穩定運行。本文對D類MOS管在廣播發射機射頻功放電路中的應用進行了探討。
2011-09-28
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EDGE功率放大器在手機上的應用
在GSM系統，EDGE可說是進一步增加數據傳輸速率。通過調變方式的改變、編碼以及多傳輸時槽進而達到3倍的傳輸速率。從1999年EDGE標準的制定至今，EDGE網絡已有多被許多國家及其電信業者所采用，根據全球行動供貨商協會(GSA，Global Mobile Suppliers Association)最近的統計，已有307種包含EDGE功能的設備發表。市場研究機構Strategy Analytics統計及預估，2006年EDGE手機市場約為1.6億支，在2005-2010年間，EDGE/WCDMA手機市場將會有51%的年復合增長率(CAGR)的大幅增長。
2011-09-23
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ISL89367：Intersil推出高速雙通道6A MOSFET驅動器用于開關電源
Intersil公司近日推出業內首款雙6A峰值電流驅動能力的雙通道MOSFET驅動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅動多個并聯大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關電源、電機驅動器和D類放大器等應用。
2011-09-20
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新型綠色能效D類音頻放大器設計應用
本文重點剖析了全橋模擬型D類功放設計要素，實現了一種基于NXP公司新型綠色能效模擬D類功放TFA9810T電路設計，并重點對綠色節能高效、高輸出功率、低溫升效應、PCB布局、EMI抑制幾個方面進行總結分析。
2011-09-20
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如何提升D類放大器的EMI性能
D類放大器以其超高的效率吸引著廣大設計工程師的青睞，從而在電池供電的各種電子設備中得到了廣泛的應用。但是，只要在系統中采用D類放大器，設計師們可能都必須在以下幾個方面采取折衷，主要包括EMI干擾，實現復雜度高，以及需要較多的外部元器件而導致的成本過高等問題。
2011-09-15
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9月后全球電子行業景氣度開始回升
從最新的數據顯示，上周電子元器件價格指數為105.02點，微跌0.04%。其中電子元件上漲0.82%，分立器件微跌0.12%。集成電路維持平穩，其中MCU、接插件、放大器和CPU有所上漲。電容器價格上升明顯，上漲了1.68%。有消息稱，目前，部分下游客戶加大了對產品的采購力度，電子行業景氣度已開始回升，預計9月份后全球電子行業景氣度將迎來加速上漲。
2011-09-13
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InQor Zeta系列：SynQor推出全新工業電源適用于高功率密度需求
SynQor推出了適用于高功率密度需求的InQor Zeta系列全新工業電源產品。該系列產品可以為各類電子器件提供隔離直流供電，例如功率放大器和需要高功率總線電壓的系統等。
2011-09-05
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改善放大器電路電源抑制比的方法
在實際應用一個電路時，噪聲和波動常會在不知不覺時被引入到供電電壓中，從而影響輸出端電壓。為此，要使電路穩定，就必須消除或抑制這些噪聲。基于這個原因，弄清楚由供電電壓導致的噪聲，在輸出端是如何表現的以及如何測量并削弱這些影響輸出的噪聲是必要的。
2011-08-31
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
文中所介紹的測試系統是在屏蔽環境下將被測器件置于低溫裝置內，抑制了外界噪聲干擾；同時使用低噪聲前置放大器使散粒噪聲充分放大，并降低噪聲；通過提取噪聲頻譜高頻段平均值，去除了低頻1/f噪聲的影響，使測試結果更加的準確。
2011-08-25
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