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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴充其來自業(yè)界知名制造商和解決方案供應商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容，幫助客戶奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎。
2024-12-25
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設計，需要這份指南（一）
當今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細的設計指南，幫助大家更好地避免潛在的設計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長期協(xié)議
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發(fā)電公司簽訂為期21年的購電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術，強化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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授權代理商貿(mào)澤電子供應Same Sky多樣化電子元器件
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運動、繼電器、傳感器和開關解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開放訂購，其中5500多種有現(xiàn)貨庫存。
2024-12-10
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
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