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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體涉足太陽(yáng)能電池業(yè)務(wù)
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（NI）宣布涉足太陽(yáng)能電池業(yè)務(wù)，并開(kāi)發(fā)成功提高太陽(yáng)能電池系統(tǒng)整體輸出功率的技術(shù)“SolarMagic”。利用該技術(shù)，即使在多塊并列的太陽(yáng)能電池板有污垢或板間錯(cuò)位時(shí)，也能夠?qū)崿F(xiàn)各太陽(yáng)能電池板發(fā)電效率的最大化。
2008-11-10
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安森美半導(dǎo)體完整時(shí)鐘解決方案滿足時(shí)鐘市場(chǎng)更高要求
安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）不斷開(kāi)發(fā)和拓展完整的時(shí)鐘解決方案。基于在雙極型、CMOS和0.18μm硅鍺（SiGe）BiCMOS工藝上先進(jìn)的鎖相環(huán)（PLL）電路布局和設(shè)計(jì)專業(yè)技術(shù)，安森美半導(dǎo)體25年來(lái)一直在最低抖動(dòng)和skew時(shí)鐘分配性能方面領(lǐng)先業(yè)界
2008-11-07
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新一代MicroTCA連接器
標(biāo)準(zhǔn)的AdvancedTCA?和MicroTCA?硬件平臺(tái)在電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用中日益流行，它們現(xiàn)在也吸引了工業(yè)應(yīng)用的注意。雅迪HARTING提供兩種可確保系統(tǒng)經(jīng)受工業(yè)環(huán)境考驗(yàn)的不同連接策略——具有con:card+質(zhì)量認(rèn)證的AdvancedMC?連接器和AdvancedMC? Plug連接器。
2008-11-05
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來(lái)的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來(lái)的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長(zhǎng)期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過(guò)先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2008-11-04
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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護(hù)為例，通過(guò)對(duì)負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)。
2008-11-03
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射頻MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的最新進(jìn)展
數(shù)字測(cè)試、儀器和無(wú)線通信領(lǐng)域的新興應(yīng)用需要高性能的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。未來(lái)的應(yīng)用將延續(xù)這一趨勢(shì)——需要更寬的帶寬、更低的損耗、更高的電阻可重復(fù)性和更高的線性度。以TeraVicta為代表的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)商將繼續(xù)利用MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)新一代開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的發(fā)展，滿足最新應(yīng)用的需求。
2008-11-01
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采用PCTF技術(shù)降低微波/射頻器件成本
本文主要介紹了一種經(jīng)濟(jì)的射頻器件封裝技術(shù)——通鍍厚膜PCTF(Plated Copper on Thick Film)技術(shù)，該技術(shù)為無(wú)引腳SMT元件、模塊設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的封裝方案，對(duì)于中小批量生產(chǎn)尤其適用。PCTF具有技術(shù)電學(xué)性能穩(wěn)定、散熱效率高、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2008-11-01
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
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設(shè)計(jì)非隔離型反激LED驅(qū)動(dòng)器
反激型LED驅(qū)動(dòng)器比較通用，因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)可以用于輸入電壓高于或低于所要求的輸出電壓。本文所描述的電路基于高度集成的MAX16802 PWM LED驅(qū)動(dòng)器IC，是一個(gè)驅(qū)動(dòng)高亮度LED的簡(jiǎn)單電路，只需很少的外圍元件，而且提供了線性和PWM亮度調(diào)節(jié)的功能。
2008-10-29
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iSuppli：09年太陽(yáng)能電池用硅材料將開(kāi)始降價(jià)
“2010年，太陽(yáng)能電池用硅材料的供求關(guān)系將緩解。在此之前，2009年現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格將大幅下降”。——美國(guó)iSuppli公司高級(jí)主管和總分析師（Senior Director and Principal Analyst）Henning Wicht在該公司主辦的研討會(huì)“iSuppli Japan Seminar 2008”上，對(duì)結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池單元原料——多晶硅材料的供求關(guān)系情況作了如此預(yù)測(cè)。
2008-10-26
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CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)EMC的評(píng)價(jià)方法
CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)的EMC很大程度上取決于CAN網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)和線束的接口——集成收發(fā)器的性能。因此，評(píng)價(jià)CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)EMC的重點(diǎn)應(yīng)集中于集成收發(fā)器。本文主要通過(guò)評(píng)價(jià)收發(fā)器IC的EMC，有效地對(duì)CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)進(jìn)行預(yù)評(píng)價(jià)。該EMC評(píng)價(jià)方法適用于單線CAN、高速CAN和容錯(cuò)CAN系統(tǒng)，具有廣泛的應(yīng)用前景。
2008-10-25
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GSM手機(jī)電磁兼容設(shè)計(jì)
本文簡(jiǎn)要介紹了EMC（electric magnetic compatibility）的概念和設(shè)計(jì)技術(shù)，針對(duì) GSM手機(jī)的電路和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，提出了幾項(xiàng)在GSM手機(jī)中可以采用的EMC技術(shù)。
2008-10-25
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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