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匯總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過(guò)，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開(kāi)通和需要關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。本文匯總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，給大家分享分享！
2014-03-04
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LTE 發(fā)射機(jī) ACLR 性能的測(cè)量技術(shù)
現(xiàn)代無(wú)線(xiàn)服務(wù)提供商正致力于不斷擴(kuò)大帶寬，為更多用戶(hù)提供互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議（IP）服務(wù)。長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)（LTE）是對(duì)當(dāng)前部署的 3GPP 網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行增強(qiáng)并創(chuàng)造更多更重要應(yīng)用的新一代蜂窩技術(shù)。LTE 的體系結(jié)構(gòu)復(fù)雜同時(shí)還在不斷演進(jìn)當(dāng)中，這為網(wǎng)絡(luò)和用戶(hù)設(shè)備的設(shè)計(jì)與測(cè)試帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。其中，在空中接口上的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)就是如何在信號(hào)傳輸過(guò)程中進(jìn)行功率管理。
2013-09-26
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Diodes直流-直流轉(zhuǎn)換器，有效節(jié)省LED照明元件成本和空間
Diodes公司為L(zhǎng)ED照明及通用功率管理應(yīng)用，推出支持升、降壓和電壓反向電路拓?fù)涞奈⑿椭绷?直流轉(zhuǎn)換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝，只需少量外部元件，就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24
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充分發(fā)揮MOSFET優(yōu)點(diǎn)的電機(jī)保護(hù)電路設(shè)計(jì)
如何設(shè)計(jì)出可靠和合理的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，對(duì)于充分發(fā)揮MOSFET功率管的優(yōu)點(diǎn)，起著至關(guān)重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和關(guān)鍵。文中用IR2130驅(qū)動(dòng)模塊為核心，設(shè)計(jì)了功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路應(yīng)用與無(wú)刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)中，同時(shí)也闡述了本電路各個(gè)部分的設(shè)計(jì)要求。該設(shè)計(jì)使系統(tǒng)功率驅(qū)動(dòng)部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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如何檢修步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
維修人員在檢查步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，發(fā)現(xiàn)一功率管已損壞，但由于沒(méi)有資料，弄不清該管的作用，所以在這里介紹下檢修步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器燒MOS管的原因。
2013-03-08
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一種WEDM用雙管正激交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的DC/DC變換器設(shè)計(jì)
本文討論了一種WEDM用雙管正激交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的DC/DC變換器設(shè)計(jì)方案，其采用并聯(lián)結(jié)構(gòu)，功率管工作在同樣頻率下，但輸出電壓頻率提高了一倍。
2013-01-09
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呼吸式功率管理，減低損耗很有效
由于通信電源和UPS初始容量設(shè)計(jì)時(shí)，同時(shí)考慮了最大負(fù)載、蓄電池充電容量和備份容量，導(dǎo)致了實(shí)際運(yùn)行負(fù)載往往處于輕載和超輕載狀態(tài)，這種狀態(tài)下，電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的效率往往較低，因此增加了自身的損耗。“呼吸式”功率管理通過(guò)跟蹤負(fù)載的變化，控制功率模塊的開(kāi)通與休眠，使系統(tǒng)盡量在最佳效率點(diǎn)附近進(jìn)行工作。
2012-12-26
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電子負(fù)載儀簡(jiǎn)介
電子負(fù)載，顧名思義，是用電子器件實(shí)現(xiàn)的“負(fù)載”功能，其輸出端口符合歐姆定律。具體地說(shuō)，電子負(fù)載是通過(guò)控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設(shè)備。
2012-11-30
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采用多管并聯(lián)和能量回饋技術(shù)的單端反激電路在低壓供電的逆變電源中的應(yīng)用
目前，由電池供電的逆變電源一般由兩級(jí)組成，前級(jí)DC/DC電路將電池電壓變換成直流約350V電壓，后級(jí)DC/AC電路將直流350V電壓變換為交流220V電壓。在這類(lèi)逆變電源中，輸入電流較大，功率管導(dǎo)通壓降高，損耗大，電源效率很難提高。對(duì)于中小功率而言，單端反激電路具有一定優(yōu)勢(shì)，本文就采用多管并聯(lián)和能量回饋技術(shù)的單端反激電路在低壓供電的逆變電源中的應(yīng)用做一些探討。
2012-11-12
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80W甲類(lèi)功率放大器的設(shè)計(jì)
這部功放的輸入級(jí)是一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管，優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高，動(dòng)態(tài)范圍大和噪聲低。輸入級(jí)還加有高頻濾波網(wǎng)絡(luò)，以便將一些不必要的高頻噪音濾掉，提高信噪比。現(xiàn)今大功率功放使用的電源電壓都比較高，輸出管驅(qū)動(dòng)電流也比較大，推動(dòng)級(jí)的功耗相當(dāng)可觀。這也就是高級(jí)功放的推動(dòng)級(jí)選用中功率及大功率管井加散熱器的原因。
2012-10-25
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HiFi功率放大器設(shè)計(jì)BOM
這個(gè)簡(jiǎn)單的低成功率放大器。可以5種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測(cè)試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會(huì)提供一個(gè)清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
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Microsemi提供用于極端溫度環(huán)境的FPGA和cSoC產(chǎn)品
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布，其現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA) 和SmartFusion?可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC) 解決方案現(xiàn)已具備在150至200攝氏度下工作的極端工作溫度范圍特征，這些器件已經(jīng)部署在向下鉆探(down-hole drilling)產(chǎn)品、航天系統(tǒng)、航空電子設(shè)備，以及其它要求在極端低溫和高溫環(huán)境中提供高性能和最大可靠性的應(yīng)用中。
2012-06-21
- DigiKey拓展創(chuàng)新版圖，新產(chǎn)品線(xiàn)引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)潮
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