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貿澤推出針對基礎設施和智慧城市的工程技術資源中心
貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出內容豐富的基礎設施和智慧城市資源中心，為工程師提供設計未來創新電子解決方案的工具。基礎設施是所有城市的基礎，涵蓋從交通網絡到電網和通信系統的方方面面。隨著數字化程度不斷提高，智慧城市技術不僅強化了基礎設施，更改善了人們的日常生活，例如通過集成智能電表傳感器來收集有關能源和水的珍貴數據。
2024-10-31
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貿澤電子新品推薦：2024年第三季度推出將近7000個新物料
作為全球原廠授權代理商，貿澤電子 ( Mouser Electronics) 致力于快速引入新產品與新技術，為客戶提供優勢，協助加快產品上市速度。超過1200家半導體和電子元器件制造商通過貿澤將自己的產品銷往全球市場。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2024-10-30
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高性能碳化硅隔離柵極驅動器如何選型，一文告訴您
電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC技術憑借其提升效率和縮小系統體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅動器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產品選型。
2024-10-30
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英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V 效率更高，設計更簡單
如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。
2024-10-28
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打造工業頂級盛會：意法半導體工業峰會2024在深圳舉辦
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將于10月29日在中國深圳福田香格里拉酒店舉辦工業峰會2024 。
2024-10-28
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電源中的分壓器
在電源設計中，可以手動設置所需的輸出電壓。大多數集成電源電路以及開關和線性穩壓器 IC 都是通過分壓器來實現這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
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低功耗藍牙賦能的太陽鏡為摩托車手提供免分心導航體驗
技術公司Blucap推出了一副可用作摩托車導航平視顯示器(HUD)的太陽鏡。輕巧的 “Blucap Moto ”太陽鏡集成了Nordic Semiconductor公司的nRF52840 SoC，為太陽鏡和騎手的智能手機以及車把上的遙控配件提供低功耗藍牙無線連接。遙控器采用 Nordic 的 nRF52810 SoC 實現無線連接。
2024-10-27
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個因素有關系，也和輸入阻抗成反比。如何來測量單管運放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進行測量。
2024-10-27
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貿澤電子為電子設計工程師提供先進的醫療技術資源和產品
貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出內容動態更新的醫療資源中心，探索改變醫療保健產業并且拯救生命的技術。隨著數字化轉型的蓬勃發展，醫療保健系統突飛猛進，實現了更快、更準確的診斷，大幅縮短了等待時間，并且還采用了各種先進的數字療法。人工智能 (AI) 的分析能力正在重新定義患者護理工作，提供前所未有的深入健康數據，同時改變慢性病和無法治愈的疾病的治療方法。
2024-10-26
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克服碳化硅制造挑戰，助力未來電力電子應用
隨著行業不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7講：SiC單晶襯底加工技術
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。
2024-10-23
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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