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HTRN系列：Vishay推出高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制及工業(yè)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴(kuò)大了近100℃，絕對(duì)TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴(yán)格比例容差。
2011-12-09
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CHPHT：Vishay推出耐高溫環(huán)繞式厚膜片式電阻用于鉆井設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對(duì)于鉆井應(yīng)用，CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃～+230℃的工作溫度和-55℃～+245℃儲(chǔ)存溫度的此類器件。
2011-12-06
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TH4：Vishay 推出耐高溫固態(tài)模壓片式鉭電容器用于汽車及工業(yè)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出在-55℃～+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP? TANTAMOUNT?表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過AEC-Q200認(rèn)證的TH4電容器能在遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高溫下工作，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產(chǎn)品。
2011-12-06
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VSOP383|VSOP584：Vishay發(fā)布寬電源電壓和低供電電流的紅外遙控信號(hào)解調(diào)IC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款用于調(diào)制由分立光敏二極管接收的紅外遙控信號(hào)的解調(diào)IC--- VSOP383..和VSOP584..，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSOP383..和VSOP584..系列產(chǎn)品采用小尺寸的2mm x 2mm x 0.76mm QFN封裝，能夠處理連續(xù)的數(shù)據(jù)傳輸，具有寬電源電壓和低供電電流的特點(diǎn)。
2011-11-30
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ICM-2824/3528/4743：Vishay發(fā)布高可靠性表面貼裝共模扼流圈
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型表面貼裝共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743，為直流電源線提供了低直流電阻、高電流處理能力和高可靠性。
2011-11-30
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Vishay大幅縮短CDR MLCC的供貨周期
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為適應(yīng)設(shè)備制造商對(duì)更快上市時(shí)間要求的不斷提高，縮短其通過MIL認(rèn)證的CDR多層陶瓷片式電容器(MLCC)的供貨周期。對(duì)于至關(guān)重要的軍工和航天應(yīng)用，Vishay的客戶可以在最快六周的時(shí)間內(nèi)獲得這些器件，并開始組裝。
2011-11-24
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VJ CDC：Vishay發(fā)布具有集成電阻的新表面貼裝MLCC用于爆破設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一個(gè)集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對(duì)于高脈沖電流應(yīng)用，VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性，可承受1000VDC～1500VDC的高電壓，容量為33nF～560nF。
2011-11-23
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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay擴(kuò)充雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET家族
Vishay Siliconix擴(kuò)充PowerPAIR?雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大簡化了高效DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
2011-11-15
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率，同時(shí)具有低熱阻系數(shù)。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護(hù)陣列用于便攜產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號(hào)線免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。
2011-11-08
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P13L：Vishay發(fā)布?jí)勖L達(dá)2百萬次、適用于極端環(huán)境的新款面板式電位計(jì)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計(jì)---Sfernice P13L，這種電位計(jì)的壽命長達(dá)2百萬次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級(jí)器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。
2011-11-02
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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