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采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
變頻器在設計上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關鍵器件,其選型和損耗直接關系散熱器的大小,也直接影響著系統的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態測量
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2022-06-21
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PIM模塊中整流橋的損耗計算
在通用變頻器或伺服驅動器的設計中,經常會用到英飛凌的PIM模塊(即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊)。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的,且由于其多數都是連接電網工作于工頻50或60Hz工況,芯片結溫波動很小,因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸,所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機型要滿足一些特殊工況,或需要考慮模塊的整體損耗來做系統的熱設計,這時就需要計算整流橋的損耗。而目前我們在線仿真工具IPOSIM并不支持,所以在此介紹一種變通的計算方法,以備您不時之需。
2022-06-17
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功率半導體冷知識之二:IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一,短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-17
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域,還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
2022-06-15
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而,越熟悉越容易大意。從統計的角度來看,單個MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而,在處理成千上萬個MOSFET時,極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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魚與熊掌皆可得?當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面:SiC MOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現象解讀
IGBT作為一種功率開關,從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間,就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時,時常會無奈發生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。
2022-06-03
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如何計算驅動芯片的desat保護時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間,Easy模塊保證2us的短路時間,因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天,我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
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汽車級IGBT/SiC模塊驅動器應該怎么用?首款唯一車硅認證柵極驅動板簡化設計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會,PI資深技術培訓經理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC(碳化硅)模塊驅動器系列產品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅動板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結溫
在IGBT應用中,結溫是經常使用的一個參數,大部分讀者應該都很熟悉這個概念,但是這和元宇宙有什么關系呢?
2022-05-25
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IGBT門極驅動到底要不要負壓
先說結論,如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說,很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。
2022-05-23
- 電磁干擾下的生存指南:電流與電壓的底層技術博弈
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