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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創新應用是實現碳中和目標的重要一環，碳化硅是應用于綠色低碳領域的共用性技術，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什么區別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功率因數校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓撲是 PFC 最常見的拓撲。在效率和功率密度的表現上，必須要走向無橋型，才能進一步減少器件使用，減少功率器件數量與導通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓撲結構，其控制法亦趨于成熟。
2021-11-25
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分析無芯變壓器柵極驅動器
功率器件在工業和汽車系統的設計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發無核片上變壓器，以實現穩健的隔離，這對SiC技術尤其有用。碳化硅已被引入工業和汽車市場的廣泛應用中，包括太陽能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。
2021-11-10
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功率半導體的進步實現3級直流快速充電，解決電動汽車的里程焦慮
目前，電動汽車的使用仍受到阻礙，主要在于 “里程焦慮”問題，并且車主不愿在道路上等待數小時充電時間。然而，隨著全國各地部署越來越多的充電樁，“直流快速充電”有望將等待時間縮短至數分鐘。這些額定功率達350 kW的大功率充電樁，必須利用最新的電源轉換拓撲結構和半導體開關技術，以盡可能提高電能效來實現成本效益。本文將介紹這些大功率充電樁的典型設計方法，對功率器件的一些選擇，以及最新的寬禁帶半導體可帶來的優勢。
2021-11-03
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高功率器件驅動風向：隔離柵極驅動
D類音頻功率放大器的市場需求每年以約50%的速度增長，以高性能設備為目標應用。D類音頻放大器的高能效和低熱性等特點支持輕薄時尚的產品設計，大功率電源還可節省成本。D類放大器滿足小尺寸、低功耗、高音頻輸出的市場主流需求，從而成為音頻類產品的中堅力量。
2021-11-03
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通用汽車與Wolfspeed達成戰略供應商協議，在通用汽車未來電動汽車計劃中采用SiC
2021年10月11日，美國密歇根州底特律市和北卡羅來納州達勒姆市訊 – 通用汽車（NYSE: GM）和 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布達成一項戰略供應商協議，約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來電動汽車計劃開發并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。Wolfspeed SiC 器件將賦能通用汽車安裝更高效的電動汽車動力系統，從而擴大其快速完善的電動汽車產品組合范圍。
2021-10-11
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什么情況下應該從硅片轉換到寬帶隙技術？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉換到寬帶隙技術才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經很好地在業界得到大規模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構和開關機理等方面的進步，使工程師能夠實現更高的系統效率。
2021-09-15
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通過AC整流橋上的有源開關提高效率
提高電源轉換效率和功率密度一直是電源行業的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結構和控制方案的發展而取得長足的進步。超結MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發展，確保了更高頻率下的更高開關效率；同時，高級拓撲及其相應控制方案的實現也在高速發展。因此，平衡導通損耗與開關損耗以實現最佳工作點，現在已完全可以實現。
2021-09-10
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X-FAB與派恩杰達成長期戰略合作，共同推動全球SiC產業發展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-06
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羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案
全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻，汽車產業綠色低碳發展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一，羅姆一直致力于技術創新，研發各種高效、高品質的功率器件，為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案，在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續發展。
2021-08-26
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