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全民智駕熱潮下，ADAS系統對電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領域早有布局，并于去年發布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過安全高效的電源管理提升 ADAS 系統攝像頭的穩定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實現規模量產，符合 ASIL-B 功能安全標準要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規模量產階段，持續為 ADAS 應用保駕護航。
2025-02-26
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貿澤電子與Amphenol聯合推出全新電子書探索連接技術在電動汽車和電動垂直起降飛行器中的作用
注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位專家探討連接技術在電動出行中的作用），深入探討電動汽車中的連接和傳感器技術。書中，來自交通運輸行業和Amphenol的專家針對支持當今純電動/混合動力汽車 (EV/HEV) 以及電動垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨特需求的技術與策略提供了深度見解。
2025-02-22
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。
2025-02-21
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意法半導體為數據中心和AI集群帶來更高性能的云光互連技術
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術，為數據中心和 AI 集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計算需求的指數級增長，計算、內存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰。意法半導體新推出的硅光技術和新一代 BiCMOS 技術可以幫助云計算服務商和光模塊廠商克服這些挑戰。計劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。
2025-02-20
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可再生電力：道達爾能源將在15年內為意法半導體法國供電1.5億千瓦時
道達爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實體購電協議，為意法半導體位于法國的工廠供應可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時 (TWh)。
2025-02-18
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功率半導體驅動電源設計（一）綜述
工業應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易。這就需要一個集成度高，外圍器件少，功率密度高的DCDC輔助電源方案，減小線路板面積，這對避免受干擾，提高可靠性也有幫助。這是開發EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設計高壓SIC的電池斷開開關
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過度流動保護限制的重要性。
2025-02-16
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如何測量PMIC的PSRR
PSRR是一個重要參數，可評估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗波動的情況下，實現高PSRR至關重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說明了測量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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意法半導體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發了一套先進的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關鍵的汽車系統開發，提高軟件定義汽車的安全性和經濟性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節、電流管理等核心領域。隨著技術節點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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