- 低功耗、低失真
- 雙路2300-2700 MHz 射頻到中頻
- 擁有超線(xiàn)性（+43 dBm）三階交調(diào)截取點(diǎn)（IP3O）
- 可達(dá)到優(yōu)異的互調(diào)抑制
- 無(wú)線(xiàn)通信
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc) 宣布，已推出針對(duì) 4G 無(wú)線(xiàn)基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-Distortion™ 系列產(chǎn)品之一，這款新器件可在降低長(zhǎng)期演進(jìn)（LTE）和時(shí)分雙工（TDD）無(wú)線(xiàn)通信架構(gòu)失真的同時(shí)降低功耗。IDT 致力于為業(yè)界提供一個(gè)涵蓋從天線(xiàn)到數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）的完整射頻卡信號(hào)鏈，新的 LTE混頻器正是該戰(zhàn)略中的重要射頻產(chǎn)品。
IDTF1162 是一款低功耗、低失真雙路2300-2700 MHz 射頻到中頻混頻器，擁有超線(xiàn)性（+43 dBm）三階交調(diào)截取點(diǎn)（IP3O），可達(dá)到優(yōu)異的互調(diào)抑制，是 4G 無(wú)線(xiàn)基站收發(fā)器中多載波、多模式蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，IDTF1162 改進(jìn) IM3 失真達(dá) 18 dB，同時(shí)降低 40% 功耗達(dá)業(yè)界領(lǐng)先（典型值為 1150 mW）。這些特性可降低射頻卡的散熱要求，并允許基礎(chǔ)架構(gòu)提供商采用更高的平均前端增益設(shè)置，從而實(shí)現(xiàn)更高的信噪比（SNR）。多達(dá) 0.4 dB 的改進(jìn)接收器 SNR 有利于無(wú)線(xiàn)通信運(yùn)營(yíng)商擴(kuò)大覆蓋面積和提高用戶(hù)手機(jī)外圍的可用數(shù)據(jù)率。
IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理 Tom Sparkman 表示：“我們最新的混頻器產(chǎn)品又一次證明，IDT 已進(jìn)入面向無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)架構(gòu)的6億美元射頻卡市場(chǎng)。繼之前推出 IDTF1150 和 IDTF1152后，IDTF1162 可提供更高的頻率輸入，滿(mǎn)足客戶(hù)期待從 IDT 獲得的所有業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。這些產(chǎn)品與來(lái)自 IDT 無(wú)線(xiàn)信號(hào)鏈解決方案產(chǎn)品組合的其他解決方案相得益彰，包括 Serial RapidIO®、高性能時(shí)鐘產(chǎn)品和數(shù)據(jù)壓縮。”
IDTF1162 提供上電快速穩(wěn)定和恒定本地振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶(hù)在時(shí)分雙工（TDD）接收器插槽間降低混頻器用電，從而進(jìn)一步降低功耗。此外，這款器件經(jīng)設(shè)計(jì)，可在一個(gè) 100° 的連續(xù)封裝箱溫度中運(yùn)行，對(duì)于在密布遠(yuǎn)程射頻頭外殼內(nèi)的 IC 來(lái)說(shuō)，是一個(gè)重要特性。與 IDT 射頻混頻器系列的其他產(chǎn)品類(lèi)似，IDTF1162 與市場(chǎng)中現(xiàn)有的器件引腳相容，可提供令人信服的升級(jí)選擇。
供貨
IDTF1162 目前正向合格客戶(hù)提供樣品，提供 6x6 毫米封裝。
