- DRF1400在輸出功率為1kW時(shí)效率優(yōu)于92%
- 內(nèi)部集成了RF驅(qū)動(dòng)器，可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)級(jí)設(shè)計(jì)
- 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達(dá)1.4 kW的輸出功率
- 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療領(lǐng)域的RF發(fā)生器中
美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽(yáng)能電池制造的等離子生成，以及工作頻率高達(dá)30 MHz 的CO2激光器。
美高森美的DRF系列是將RF柵極驅(qū)動(dòng)器、RF功率MOSFET和相關(guān)旁路電容器集中封裝在一個(gè)高效熱性能封裝的產(chǎn)品。DRF1400是美高森美首款采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的器件，在輸出功率為1kW時(shí)效率優(yōu)于92%，此外，較低的寄生電容和電感，以及施密特(Schmitt)觸發(fā)器輸入、開(kāi)爾文(Kelvin)信號(hào)地線、防振鈴功能、反相和同相(non-invert)引腳可選擇等附屬功能，為kW到數(shù)千瓦的高頻ISM的應(yīng)用提供了高穩(wěn)定性和靈活的控制功能，高集成度還可縮減材料清單(bill-of-material)元件數(shù)目和降低成本。其它特點(diǎn)包括：
• 內(nèi)部集成了RF驅(qū)動(dòng)器，可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)級(jí)設(shè)計(jì)，允許輸入簡(jiǎn)單的邏輯信號(hào)；
• 內(nèi)部的旁路電容器，可以減少寄生電感并能保證電源電壓的穩(wěn)定；
• 采用高擊穿電壓(500V) MOSFET，通過(guò)半橋拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)較高的功率輸出；
• 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達(dá)1.4 kW的輸出功率。
供貨
美高森美現(xiàn)可提供DRF1400的工程樣品。與之相關(guān)的參考設(shè)計(jì)套件(13.56 MHz, Class-D半橋)可從美高森美購(gòu)買，套件包括了快速推出>1kW的RF功率設(shè)計(jì)所需的所有硬件，同時(shí)還為RF系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了包含有基礎(chǔ)操作知識(shí)和設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)的設(shè)計(jì)指南。
