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絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中,介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù),本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。
2022-06-23
SOI 驅(qū)動(dòng)芯片 英飛凌
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安森美被納入標(biāo)普500指數(shù)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),在美國(guó)時(shí)間6月21日開(kāi)盤交易前被納入標(biāo)普500?指數(shù)。安森美被納入該指數(shù)緊接著公司在2021年的財(cái)政年度收入達(dá)到有史以來(lái)最高的67.4億美元,同比增長(zhǎng)28.3%,且最近還獲認(rèn)定入榜《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng)。
2022-06-22
安森美 ADAS 替代能源
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷豐富多樣的Renesas產(chǎn)品
2022年6月22日 –提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Renesas Electronics解決方案的全球授權(quán)分銷商。貿(mào)澤備有4300多種Renesas產(chǎn)品,包括Dialog Semiconductor、Integrated Device Technology (IDT) 和Intersil公司的產(chǎn)品,并提供了一系...
2022-06-22
貿(mào)澤電子 Renesas
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小型化趨勢(shì)下,東芝單芯片方案實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電機(jī)驅(qū)動(dòng)
隨著人們生活、工作需求的轉(zhuǎn)變,以及半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,電機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越多。比如,實(shí)現(xiàn)家庭自動(dòng)化的空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱、清潔設(shè)備,實(shí)現(xiàn)辦公自動(dòng)化的IJP/LBP/MFP打印機(jī)、掃描儀,實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動(dòng)化的ATM機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、游樂(lè)設(shè)備、監(jiān)控?cái)z像頭、機(jī)器人,各類服務(wù)器風(fēng)扇、鼓風(fēng)機(jī)、通風(fēng)風(fēng)扇、吊扇,...
2022-06-22
東芝 單芯片 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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TP8312滿足0.9V低電壓工作的一節(jié)兩節(jié)干電池升壓IC解決方案
干電池是一種利用糊狀電解質(zhì)產(chǎn)生直流電的化學(xué)電池(濕電池是一種利用液體電解質(zhì)的化學(xué)電池),屬于一次電池,在日常生活中應(yīng)用廣泛,便于攜帶。隨著便攜式AV設(shè)備及IT設(shè)備的普及,干電池已成為一種應(yīng)用非常廣泛的可移動(dòng)能源。正常一節(jié)干電池的電壓最高1.6V左右,放電到最低0.9V終止放電;兩節(jié)干電池串聯(lián)...
2022-06-22
TP8312 同步升壓IC 解決方案
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應(yīng)用中,常有一些功能需要較高的電壓才能工作,例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動(dòng)、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓,讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測(cè)量
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過(guò)去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展
2022年6月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),發(fā)布其年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告,前稱企業(yè)社會(huì)責(zé)任(CSR)報(bào)告。為了持續(xù)努力保持我們對(duì)投資者、客戶、利益相關(guān)者和員工的透明度,該報(bào)告根據(jù)全球報(bào)告倡議組織(GRI)、氣候相關(guān)的財(cái)務(wù)披露工作組(TCFD)和可持...
2022-06-20
安森美 可持續(xù)發(fā)展
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