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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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STCL1120系列:意法半導體低功耗硅振蕩器
意法半導體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設備
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B84143D*R127系列：EPCOS長引出線應用EMC濾波器
愛普科斯闊展了它的3路EMC濾波器系列, 增加了變頻器用高性能系列產品。其出色的衰減性能尤其對長電動機引出線有決定性的優勢。
2008-06-19
B84143D*R127 SineFormer濾波器 EMC濾波器
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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B82466G0*/B82467G0*/B82469G1*：EPCOS新電感器系列
愛普科斯(EPCOS)開發出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。
2008-06-01
B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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B1642：EPCOS電纜調制解調器用聲表面波濾波器
愛普科斯(EPCOS)現可提供B1642聲表面波（SAW）濾波器，用于接收寬帶電視和接入因特網的電纜調制解調器。該產品專門針對國際第三代有線電纜數據業務接口規范（DOCSIS 3.0標準）而研發,這一規范將主要應用在美國和韓國。
2008-05-21
B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器
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STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發射極開關雙極晶體管）功率開關，新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效，降低產品的成本、組件數量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發射極開關雙極晶體管
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復用三路DPDT開關
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為2.0Ω)、導通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠實現高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關
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