【導(dǎo)讀】本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計，其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
引言
在現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件中，提高開關(guān)速度、開關(guān)頻率和功率密度是大勢所趨。然而，由于不同具體應(yīng)用對器件性能需求有差異，在某些應(yīng)用中，對制衡開關(guān)速度的其他性能，有更高優(yōu)先級的需求。就電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用特性而言，由于電機(jī)和電纜的固有隔離，導(dǎo)致其面臨著開關(guān)速度受限的嚴(yán)重挑戰(zhàn)。即開關(guān)斜率（dv/dt）被限制在2 - 10kV/μs的范圍內(nèi)，典型目標(biāo)為5kV/μs。此外，用戶采用的典型開關(guān)頻率（fSW）也低于8kHz。這兩點(diǎn)改變了器件開發(fā)時參數(shù)優(yōu)化的優(yōu)先級，快速開關(guān)和高開關(guān)頻率需求的重要性有所減弱。簡而言之，對電機(jī)驅(qū)動而言，降低靜態(tài)損耗成為了功率半導(dǎo)體的發(fā)展重點(diǎn)，開關(guān)損耗變得次要了。
本文圍繞英飛凌IGBT7和EmCon7展開分析和討論。主要基于三個基本概念：首先，IGBT7技術(shù)可最大限度地減少靜態(tài)損耗，同時提高開關(guān)參數(shù)的可控性，實現(xiàn)應(yīng)用所需的最優(yōu)特性；其次，全新EmCon7能夠?qū)崿F(xiàn)更干凈的開關(guān)，即減少振蕩，同時降低功率損耗；第三，則是基于優(yōu)化功率模塊設(shè)計，將暫態(tài)的最高允許結(jié)溫（TJ）提高至175°C時，使IGBT和二極管能夠滿足實際應(yīng)用的過載運(yùn)行需求。基于這些IGBT和二極管概念，本文介紹了在設(shè)計過程中，對器件性能調(diào)節(jié)的思路，展示了IGBT和二極管之間潛在的相互依賴關(guān)系，指出了它們給電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用帶來的主要優(yōu)勢。最后，本文還著重說明了IGBT7與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比所做的改進(jìn)，并進(jìn)行了全面比較。
IGBT7技術(shù)介紹
本章節(jié)將圍繞IGBT7技術(shù)展開介紹、討論和分析。IGBT7采用了基于新型微溝槽（MPT）的IGBT結(jié)構(gòu)。它采用基于n-摻雜的襯底的典型垂直IGBT設(shè)計，p基區(qū)內(nèi)的n型重?fù)诫s構(gòu)成了發(fā)射極接觸結(jié)構(gòu)。通過在電隔離的溝槽刻蝕接觸孔，確定了溝道和柵極。在n-襯底的底部，通過p+摻雜實現(xiàn)了集電極區(qū)。在n-襯底和和p+之間，通過n+摻雜實現(xiàn)了場截止（FS）結(jié)構(gòu)。它可以使電場急劇下降，同時會影響器件的靜態(tài)和動態(tài)特性。
圖1 MPT結(jié)構(gòu)示意圖及其采用的溝槽設(shè)計：有效溝道溝槽（中），無效的柵極溝槽（左上）以及發(fā)射極溝槽（左下）
不同于IGBT4等主流器件，IGBT7里的溝槽有多種形式：其中最常見的是作為有源柵極使用。在這種情況下，柵極電壓施加到溝槽，在溝槽兩側(cè)形成導(dǎo)電溝道。其次，MPT結(jié)構(gòu)還能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)射極溝槽和偽柵極，兩者都是無效溝槽。對于發(fā)射極溝槽來說，溝槽直接接到發(fā)射極電位。對于偽柵極來說，柵極電壓施加到溝槽。但是因為這些溝槽周圍沒有發(fā)射極接觸結(jié)構(gòu)，二者均無法形成導(dǎo)電溝道。這三種溝槽單元類型能夠精細(xì)化定制IGBT。
通過增加有源柵極密度，能夠增加單位芯片面積上的導(dǎo)電溝道。一方面,由于器件輸出特性曲線更陡，可降低靜態(tài)損耗。另一方面，更高的有源柵極密度，可能導(dǎo)致短路耐受性降低。而如果使用發(fā)射極溝槽和偽柵極，情況將有所不同。增加的無效溝道密度減少了有效導(dǎo)電溝道的數(shù)量，抵消了上述影響。除此之外，發(fā)射極溝槽和偽柵極改變了芯片的電容耦合。具體來講，單位芯片面積上的的偽柵極與有源柵極數(shù)量增加，使得柵極-發(fā)射極電容（CGE）增加。反之，更多的發(fā)射極溝槽導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電容（CCE）增加。于是，發(fā)射極溝槽的數(shù)量相比有源柵極和偽柵極的數(shù)量確定了集電極-柵極電容（CCG），即米勒電容。總而言之，開關(guān)參數(shù)，尤其是IGBT7的可控性直接取決于所選設(shè)計，即取決于有源柵極、偽柵極和發(fā)射極溝槽的數(shù)量。
圖 2 不同單元設(shè)計對應(yīng)的IGBT7動態(tài)折衷曲線 （TJ = 175 °C時的Etot和TJ = 25 °C 時的dv/dtmax,ON）。驅(qū)動器應(yīng)用的dv/dtmax,ON = 5 kV/μs由虛線突出表示。插圖：不同器件設(shè)計的電容CCG，CGE與CΣ比值。
通過柵極電阻控制dv/dt會影響總損耗（Etot），并導(dǎo)致Etot隨dv/dt降低而增加。器件設(shè)計對可控性的影響的進(jìn)一步分析可見圖2，圖2顯示了四種元胞設(shè)計的Etot VS dv/dt曲線，即額定電流（Inom）下，TJ = 175 °C時的導(dǎo)通損耗（EON）、關(guān)斷損耗（EOFF）和恢復(fù)損耗（EREC）的總和，對比在0.1·Inom，TJ=25°C時，開通過程的最大電壓斜率（dv/dtmax,ON）。dv/dtmax,ON 之所以在0.1·Inom 和 TJ = 25 °C條件下進(jìn)行測量，因為最陡的dv/dt通常是在這些運(yùn)行條件下觀察到的。RG取值從高dv/dtmax,ON下的小RG值到低dv/dtmax,ON 下的大RG值之間變化。通過比較這四種元胞設(shè)計，我們可以清楚地發(fā)現(xiàn)，只有設(shè)計1提供了13kV/μs的 dv/dtmax,ON可控范圍，同時Etot增加不到25%，這也是目前關(guān)鍵應(yīng)用范圍內(nèi)最低的Etot。在較大的dv/dtmax,ON下，設(shè)計2和4可提供類似的Etot，但是dv/dtmax,ON都大于5kV/μs。在這兩種設(shè)計中，CCG的影響尤為明顯：盡管CGE/CΣ（CΣ= CGE + CCG+ CCE）的比率相同，但設(shè)計4的CCG 只有設(shè)計2的一半。因此，CCG是影響可控性的主要因素。另一方面，設(shè)計3能夠提供高可控性且dv/dtmax,ON的變化范圍廣，但在相同的dv/dtmax,ON變化范圍內(nèi)，如2-10kV/μs之間，設(shè)計3的Etot明顯大于設(shè)計1。設(shè)計3的這種表現(xiàn)，是因為其有源柵極密度高于設(shè)計1，而CCG低于設(shè)計1。因此，設(shè)計3也無法滿足目標(biāo)應(yīng)用的要求。本文僅建議在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中采用設(shè)計1，即IGBT7的目標(biāo)設(shè)計。
圖3 VDC= 600 V ，TJ,max時，IGBT4和IGBT7的開關(guān)曲線。其中，綠色代表IGBT4，藍(lán)色代表IGBT7；開通以細(xì)線表示而關(guān)斷以粗線表示；虛線對應(yīng)于VCE，實線對應(yīng)于IC/Inom。插圖為TJ = 150 和175 °C，VDC= 800 V時的IGBT7短路開關(guān)曲線。
現(xiàn)在，我們將重點(diǎn)放在IGBT7的目標(biāo)設(shè)計上，人們可能會產(chǎn)生疑問：如何通過提高可控性來影響開關(guān)特性和短路魯棒性？圖3顯示了IGBT7以及主流的參考器件（IGBT4）的開關(guān)曲線。兩個器件均在600 V直流母線電壓（VDC）和相等的L·Inom下工作。選取合適的RG，使兩個器件均滿足TJ = 25 °C，0.1·Inom 時dv/dtmax,ON= 5 kV/μs。兩個器件均顯示出干凈的關(guān)斷曲線，不過IGBT7的的過壓峰值（Vpeak）較小。導(dǎo)通時也是如此，二者均未顯示出振蕩特性。IGBT7的峰值電流比IGBT4更明顯，但是電壓下降更快。這兩種效應(yīng)都與IGBT7可控性的改善有著直接關(guān)系，可解釋如下：開關(guān)期間，內(nèi)部電容耦合導(dǎo)致器件的dv/dt可控。開關(guān)即將結(jié)束時，發(fā)生電荷再分配，從而導(dǎo)致明顯的第二次電流峰值。在此期間，電壓斜率減小并且出現(xiàn)上述電壓拖尾，這與二極管性能無關(guān)，也與寄生導(dǎo)通效應(yīng)無關(guān)。圖3的插圖顯示了IGBT7的短路開關(guān)曲線。顯然，IGBT7提供了干凈的短路開關(guān)，即使在TJ = 175 °C時，也可承受標(biāo)準(zhǔn)的短路時間，如在TJ = 150 和175 °C時短路時間分別為8 和 6 μs 。
圖4 不同溫度條件下IGBT4 和IGBT7的折衷曲線圖。插圖：IGBT4和IGBT7 在TJ = 25 和 150 °C 時Etot和IC/Inom的對比。
圖4顯示了IGBT4和IGBT7折衷曲線。分別給出了Inom下，TJ = 25 - 150 °C 和 TJ= 25 - 175 °C（以25 °C為步長）期間的集電極-發(fā)射極飽和壓降（VCEsat）VS EOFF曲線。TJ = 150 °C 時，IGBT7的靜態(tài)損耗比IGBT4小500 mV，而EOFF區(qū)別較小。因此，在動態(tài)損耗相當(dāng)?shù)那闆r下，IGBT7的靜態(tài)損耗明顯更小。這突顯出了新元胞設(shè)計的優(yōu)點(diǎn)。MPT結(jié)構(gòu)允許大大提高器件漂移區(qū)載流子濃度，在保持類似關(guān)斷性能的同時，實現(xiàn)了極低的靜態(tài)損耗。圖4的插圖顯示了TJ = 25 和 150 °C，dv/dtmax,ON = 5 kV/μs時，IGBT4 和IGBT7的Etot與工作電流的關(guān)系。兩種組合都顯示出Etot典型的拋物線特性。特別是在TJ = 150 °C時，IGBT7 和IGBT4的Etot最大偏差小于15%。因此，由于靜態(tài)損耗顯著降低，IGBT7在典型應(yīng)用條件下具有明顯優(yōu)勢。
EmCon7技術(shù)介紹
在深入了解了IGBT7技術(shù)后，本文接下來將重點(diǎn)放在新一代二極管上。如圖5所示，EmCon7的設(shè)計基于垂直PIN二極管結(jié)構(gòu)。低摻雜（n-）襯底形成PIN二極管的漂移區(qū)，頂部的p摻雜區(qū)形成二極管的陽極結(jié)構(gòu)。底部有一個更強(qiáng)的n摻雜（n+）區(qū)，形成了二極管的陰極。在n- 漂移區(qū)和 n+ 陰極區(qū)之間，合適濃度的n型摻雜實現(xiàn)了FS結(jié)構(gòu)。
圖5 基于PIN結(jié)構(gòu)的二極管設(shè)計示意圖
我們都知道，器件的阻斷電壓（VR）和關(guān)斷軟度很大程度上受FS設(shè)計的影響。為了研究FS和二極管性能的相互作用，本文將圍繞三種設(shè)計展開分析，并與主流的EC4二極管進(jìn)行性能比較。所選FS設(shè)計思路如下：FS設(shè)計1和FS設(shè)計2處于同一個設(shè)計折衷曲線。其中，F(xiàn)S設(shè)計1是最激進(jìn)的設(shè)計，它結(jié)合了更高的阻斷電壓和更低的軟度。FS設(shè)計2對應(yīng)于傳統(tǒng)方法，能夠提供適度的阻斷電壓和軟度。FS設(shè)計3是一種優(yōu)化型設(shè)計，可在相同的阻斷電壓下，實現(xiàn)更高的軟度，從而實現(xiàn)新的折衷曲線。
圖6：左：VDC ≤ 900 V，1/10 · Inom 且TJ = 25 °C時，EC4與三種研究FS設(shè)計的開關(guān)曲線。右：與EC4相比，不同F(xiàn)S設(shè)計的VR 。
為了研究FS設(shè)計和性能之間的影響，本文對三種設(shè)計的開關(guān)曲線展開了分析。圖6顯示了基于三種不同設(shè)計的新的二極管與EC4相比的二極管恢復(fù)特性。對二極管來說，高VDC是最嚴(yán)酷的開關(guān)條件。這時二極管的軟度達(dá)到最低，可能導(dǎo)致開關(guān)期間產(chǎn)生更嚴(yán)重的振蕩和更高的Vpeak。因此，測量時，VDC增至900V，所有二極管在TJ = 25 °C，二極管電流（Id）為1/10 · Inom時開關(guān)。測試采用的L·Inom = 8000 nHA。圖6顯示了開關(guān)曲線（左），以及與EC4技術(shù)相比，上述設(shè)計的最大阻斷電壓（右）。EC4在振蕩和過壓方面表現(xiàn)出良好的開關(guān)特性。盡管出現(xiàn)了過電壓，但過電壓峰值小于60V，因此避免了損壞二極管。只有在電流換向的最后，才在拖尾電流區(qū)域中看出輕微的振蕩。參考EC4的特性，對上述FS設(shè)計的評估總結(jié)如下：FS設(shè)計1開關(guān)性能最差。與EC4的尖峰電壓相比，其Vpeak增加了一倍以上，劇烈的關(guān)斷振蕩不僅發(fā)生在拖尾電流中，同時還發(fā)生在清除二極管電荷載流子后。除此之外，有必要說明的是，由于可能的過電壓損壞，器件無法在VDC=900V下工作。因此，我們僅對FS設(shè)計1分析到VDC = 800 V。FS 設(shè)計2提供的開關(guān)特性幾乎與參考器件一致。它出現(xiàn)了較小的Vpeak，僅在拖尾電流中發(fā)生關(guān)斷振蕩。關(guān)斷振蕩的幅度也與參考器件相當(dāng)。FS設(shè)計3展示出了最出色的開關(guān)性能，而且要比參考器件更好。在開關(guān)過程中，沒有觀察到關(guān)斷振蕩和明顯的Vpeak。從這個角度來看，F(xiàn)S設(shè)計3是EC7的目標(biāo)設(shè)計。
圖6顯示了研究中的不同F(xiàn)S設(shè)計和EC4最大阻斷電壓的對比（右）。與EC4相比，F(xiàn)S設(shè)計1阻斷電壓增加了85 V，其他兩種設(shè)計的阻斷電壓幾乎相同。由此，我們可以將觀察到的開關(guān)特性差異，闡述如下：與FS設(shè)計2相比，F(xiàn)S設(shè)計1的空間電荷區(qū)明顯地穿通到FS區(qū)中。因此阻斷電壓增加，同時導(dǎo)致振蕩加劇。因此，通過調(diào)節(jié)FS設(shè)計在折衷曲線上位置，器件性能便從高阻斷電壓和低軟度變?yōu)榈妥钄嚯妷汉透哕浂取Ｈ鏔S設(shè)計3所示，利用偏移的折衷曲線，軟度甚至在阻斷電壓略有增加的情況下有所改善。圖7顯示了TJ = 25 °C，VDC= 300, 600, 800, 和 900V，1/10 · Inom 時，EC4和EC7的開關(guān)曲線。和預(yù)期一樣，不論在何種情況下，EC7都提供了更軟的開關(guān)和更低的Vpeak。
圖7 VDC = 300, 600, 800 及 900 V，1/10 · Inom ，TJ = 25 °C時，EC4和 EC7的開關(guān)曲線。
圖8顯示了EC4和EC7的折衷曲線。EC4和EC7在不同Inom下的正向電壓（Vf），分別在TJ = 25 - 150 °C和TJ = 25- 175 °C（步長25 °C）的溫度范圍內(nèi)顯示。同時給出了在對應(yīng)Inom和溫度范圍的EREC。此外， 通過選擇合適的Rg，EREC在dv/dtmax,ON = 5 kV/μs進(jìn)行測試。通過比較這兩種二極管技術(shù)，我們發(fā)現(xiàn)TJ ≥ 150 °C 時，EC7的靜態(tài)和動態(tài)損耗要低于EC4。盡管EC7在TJ = 25 °C時，靜態(tài)損耗略大，但在TJ ≤ 50 °C時，觀察到折衷曲線的交叉點(diǎn)。因此，在典型的應(yīng)用范圍內(nèi)，EC7技術(shù)在靜態(tài)損耗和EREC方面要優(yōu)于EC4技術(shù)。插圖顯示了測得的EC4、EC7以及上述FS設(shè)計的Vpeak（色碼與圖6相同）。這些結(jié)果再次突顯了與所選FS研究設(shè)計以及EC4技術(shù)相比，EC7技術(shù)的性能優(yōu)勢。
圖8 Inom下顯示了的EREC和Vf的EC4和EC7技術(shù)的折衷曲線。插圖：ID = 1/10 · Inom TJ = 25 °C，不同VDC下的EC4, EC7以及另外兩個FS設(shè)計的Vpeak。
以上就是對IGBT7以及EmCon7芯片技術(shù)的解析。再先進(jìn)的芯片，也要封裝在模塊中才能為我們所用，所以下節(jié)我們將對比IGBT4和IGBT7功率模塊的性能特點(diǎn)，敬請期待！
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