【導讀】有兩種瞬態(tài)響應。首先，負載瞬態(tài)響應是當?shù)蛪航捣€(wěn)壓器(LDO)提供的負載電流發(fā)生變化時，在LDO輸出端出現(xiàn)過沖或下沖。第二，線路瞬態(tài)響應是當連接的電壓在LDO輸入端發(fā)生變化時，在LDO輸出端發(fā)生過沖或下沖，具有不同的波形。
圖1.LDO輸出端發(fā)生下沖時的內(nèi)部構造
讓我們看看當LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時，其內(nèi)部會發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結構，輸出電壓為1V時，瞬態(tài)響應下沖電壓為0.02V，導致輸出電壓下降到0.98V。當參考電壓穩(wěn)定到1V時，那么誤差放大器的輸入端之間有0.02V的電壓差。放大器將該電壓放大，所以誤差放大器的輸出電壓VAMP下降，這意味著PMOS傳遞元件的VGS增加，PMOS傳遞元件開始導通更多的通道，給輸出電容充電。所以，LDO的輸出電壓開始回升到1V。
圖2.LDO輸出端發(fā)生過沖時的內(nèi)部構造
LDO輸出端過沖的情況（圖2）與下沖的情況相反。過沖電壓為0.02V，那么輸出電壓是1.02V，誤差放大器的輸入端之間有一個-0.02V的電壓差。誤差放大器再次放大這個電壓，誤差放大器的輸出電壓VAMP增加，而PMOS傳遞元件的電壓VGS減少，這意味著PMOS傳遞元件開始關閉其通道。但正因為如此，一個傳遞元件可以給輸出電容充電，以防輸出電容放電時，過沖輸出電壓恢復到1V。
圖3.在下沖和過沖期間LDO內(nèi)部的活動
您可以在圖3中看到下沖和過沖期間LDO內(nèi)部的負載瞬態(tài)響應和該狀態(tài)下的動作：下沖期間更多的傳遞元件被打開，而過沖期間關閉。這種反饋動作對于負載瞬態(tài)響應和線性瞬態(tài)響應是相同的，它取決于導致下沖或過沖的原因。過沖的幅度和穩(wěn)定時間取決于內(nèi)部反饋對瞬態(tài)事件的反應速度--輸入電壓或負載電流的任何變化。
圖4.NCP110的負載瞬態(tài)響應
圖4展示了NCP110的實測負載瞬態(tài)響應：在負載變化到較高的電流水平時，輸出電壓下降。一段時間后，內(nèi)部反饋對過沖作出反應，導通PMOS傳遞元件。當負載變化到一個非常低的電流水平時，例如1毫安，內(nèi)部反饋反應是關閉PMOS傳遞元件：導致過沖，輸出電容放電。
圖5.NCP110線性瞬態(tài)響應
圖5展示了線性瞬態(tài)響應。但下沖和過沖具有相同的波形，這是由于實際上負載電流沒有變化造成的。因此，輸出電容沒有擴展放電。就像負載瞬態(tài)響應一樣，PMOS傳遞元件也會相應地以導通和關閉做出響應。
您可以將類似的原則應用于含NMOS傳遞元件的LDO。含PMOS傳遞元件的LDO有一個針對輸入電壓VIN的柵源電壓VGS，而含NMOS傳遞元件的LDO有一個針對輸出電壓VOUT的柵源電壓VGS。因此，當需要導通更多的NMOS傳遞元件時，誤差放大器的輸出電壓VAMP增加。當需要關閉NMOS傳遞元件時，誤差放大器的輸出電壓VAMP下降；這與含PMOS傳遞元件的LDO恰好相反。
來源：onsemi
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