【導(dǎo)讀】對(duì)于電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
做電源的都測試過流過高壓MOS的電流波形，總會(huì)發(fā)現(xiàn)電流線性上升之前會(huì)冒出一個(gè)尖峰電流，并且有個(gè)時(shí)候甚至比正常的峰值電流還要高。看起來很不爽。那這尖峰怎么來的，如何減小它呢？
一、此電流尖峰對(duì)電源的害處
1、就是由于這個(gè)尖峰的存在，開關(guān)電源芯片為了防止誤觸發(fā)加入了前沿消隱，如果太高還是有可能誤觸發(fā)。
2、這個(gè)尖峰（di/dt很大）對(duì)開關(guān)電源EMI影響不小。
3、這個(gè)尖峰電流會(huì)增大MOS開關(guān)管開通時(shí)的交越損耗，降低效率
二、電流尖峰的來源
1、MOS管開啟時(shí)驅(qū)動(dòng)電流由G流到S到地這條路徑是有電流的（驅(qū)動(dòng)電路上有驅(qū)動(dòng)電阻限制驅(qū)動(dòng)電流的這個(gè)電流不大）；
2、另外一條通路從MOS下來的，從表面上看這條通路連接電感，電感上的這個(gè)電流實(shí)際上就是主電流是從0緩慢（相對(duì)于尖峰電流）上升的，但別忘了還有一個(gè)隱藏的通路就是變壓器原邊繞組是有寄生電容的（層間電容和匝間電容），這個(gè)寄生電容里面存儲(chǔ)的電量瞬間由MOS到地放出，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大尖峰電流。
3、還有一個(gè)就是從副邊耦合過來的電流，我們都知道副邊整流二極管從導(dǎo)通（正偏）到反偏的這個(gè)過程中二極管有一個(gè)反向恢復(fù)電流。這個(gè)反向恢復(fù)電流是通過二極管和變壓器副邊繞組的，它會(huì)通過耦合折射到原邊繞組上的（注意：在DCM下沒有反向恢復(fù)電流）。
三、減小電流尖峰對(duì)策
1想辦法減小變壓器原邊繞組分布電流
① 變壓器使用三明治繞法使原邊繞組分開
② 減小原邊繞組的匝數(shù)（比如可以用Ae值比較大的磁芯（PQ等）可以減少變壓器匝數(shù)）
③ 盡量繞成單層繞組
2、減少副邊反向恢復(fù)電流
① 如果是功率很小的開關(guān)電源把變壓器設(shè)計(jì)在DCM模式下運(yùn)行(DCM無反向電流）。
② 使用準(zhǔn)諧振芯片（準(zhǔn)諧振也是在DCM）
③ 使用反向恢復(fù)特性好的二極管，比如肖特基，當(dāng)然還有碳化硅二極管，注意碳化硅二極管成本非常高。
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