【導讀】現在科技產品都需要擁有待機功能作為支持，但是即便是在待機模式之下，還依舊是消耗能源的，這就造成了一定程度上的能源浪費。所以當務之急，是尋找一種提高工作效率和輕載能效，但又降低功耗的方法。本篇文章將以反激式開關電源為例，通過幾個方面來提升輕載效率和降低待機功耗。
在這個科技飛速發展的時代，人們對科技產品的自動化和網絡化需求越來越強烈。因此就要求科技產品擁有待機功能作為支持，但是即便是在待機模式之下，還依舊是消耗能源的，這就造成了一定程度上的能源浪費。所以當務之急，是尋找一種提高工作效率和輕載能效，但又降低功耗的方法。
本篇文章將以反激式開關電源為例，通過幾個方面來提升輕載效率和降低待機功耗。
表1 輕載能耗標準
1、開關MOSFET的損耗通常可以分為導通損耗、開關損耗、驅動損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低，這時候的開關損耗是主導因素。而開關損耗與Vds電壓、開關頻率有著直接的關系。因此，減少MOSFET在輕載和空載時的損耗，可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來實現；
2、使用具有HV啟動功能的芯片，這樣可以避免啟動電阻產生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻；
3、對反饋線路的優化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機功耗。當然，同時也要考慮到對Dynamic的影響；
4、對吸收線路的優化。傳統的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗，相對而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機功耗；
此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優化變壓器的設計也會起到一定的積極作用。
相信有些技術基礎的朋友已經看出來了，想要在反激式開關電源當中降低待機功耗并提高輕載能效，就需要對反激拓撲線路進行細致的分析。揪出每一個產生損耗的源頭，逐一進行分析。并從中總結出經驗和知識，不斷豐富自身的設計知識。
