【導讀】ST的超高速串聯二極管非常受市場歡迎，到目前為止，出貨量已超過5千萬顆。今天第二代超高速串聯二極管問世，與第一代產品相比，反向恢復電荷降低了，因此即便開關頻率高達100KHz，只要結溫低于100攝氏度，其性能表現就與SiC二極管差不多，而且價格還至少低30%。SiC二極管的優勢是它的性能跟結溫沒關系，即便結溫高達175攝氏度，性能表現仍是一樣。
ST超高速串聯二極管自問世以來一直深受市場歡迎，至今出貨量已超過5千萬顆。為了讓設計人員以更高成本效益提升電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁的能效，意法半導體（ST）推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管（tandem diodes）。與ST第一代產品相比，新的超高速串聯二極管產品降低了反向恢復電荷(QRR，reverse-recovery charge)，從而能夠最大限度降低開關損耗，能效優勢高于標準超高速二極管。QRR 參數變低還有助于加快電路設計的微調速度，縮短設備廠商的新產品上市時間。
第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管性能在開關頻率高達100KHz和結溫低于100攝氏度時，可與碳化硅二極管相媲美，但價格比碳化硅二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結溫的影響，在結溫高于100攝氏度時，SiC二極管性能高于超高速串聯二極管。目前ST已開發出650V、20A的SiC二極管，使得其SiC二極管產品系列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應用。
ST第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI，屬于意法半導體600V串聯二極管系列。新產品的正向涌流峰值與超高速二極管相同，確保穩健性和可靠性，工作結溫范圍寬達 -40°C到 175°C。
這三款器件現已全部投入量產，采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。
