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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET

發布時間:2013-01-24 責任編輯:alexwang

【導讀】國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
 
IR新款超小型功率MOSFET,可用于低功耗電子產品
圖1 器件

新款的 PQFN2x2 器件提供 20V、 25V 和 30V 的選擇,并帶有標準或邏輯水平柵極驅動器。這些器件只需要 4mm² 的占位空間,采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
 
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列,也可以滿足我們客戶的需求,進一步縮小封裝尺寸,并結合基準硅技術。這些新器件擁有超小尺寸和高密度,非常適合于高度數字化內容相關的應用。”
 
IR新款超小型功率MOSFET,可用于低功耗電子產品
圖2 產品規格表
 
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道器件,帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時,新器件的厚度少于1 mm,使它們與現有的表面貼裝技術兼容,并且擁有行業標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
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