【導(dǎo)讀】東芝推出新款N溝道低導(dǎo)通電阻MOSFET，可用于鋰離子電池保護(hù)電路和手機(jī)電源管理開關(guān)。采用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能和高抗雪崩性能。
東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導(dǎo)通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產(chǎn)品采用最新的第八代工藝打造，可用于鋰離子電池保護(hù)電路和手機(jī)電源管理開關(guān)。其他兩款第八代產(chǎn)品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產(chǎn)品系列中，成為現(xiàn)有型號(hào)的換代產(chǎn)品。所有三款產(chǎn)品均有助于降低設(shè)備厚度和總體尺寸，并可提高效率。
應(yīng)用
鋰離子電池保護(hù)電路
手機(jī)電源管理開關(guān)
主要特點(diǎn)
由于采用了最新的第八代工藝，因此產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比現(xiàn)有的東芝產(chǎn)品要低。
采用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
高抗雪崩性能。
