【導讀】Microsemi新型SiC肖特基二極管提升電氣功率轉換效率，與硅(Si)材料相比，可以提供更好性能，包括零反向恢復、不受溫度影響特性等。新器件瞄準大功率高壓工業應用，新型SiC 肖特基二極管現已量產。
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產品瞄準廣泛的工業應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應用。
與硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有多項優勢，包括較高的擊穿場強度和更好的導熱性，這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢復、不受溫度影響特性、較高的電壓能力，以及較高的工作溫度，從而達到新的性能、效率和可靠性水平。
除了SiC二極管器件固有的優勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片，背部可焊接的D3 封裝SiC 肖特基二極管的制造商，允許設計人員達到更高的功率密度和較低的制造成本。
美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示：“我們利用超過25年的功率半導體器件設計和制造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和總體質量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的工作頻率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能夠幫助系統設計人員滿足這些需求。”
全新1200V SiC 肖特基二極管產品陣容包括：
APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)
APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)
APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)
