- 新一代TrenchFET Gen IV系列MOSFET在4.5V下導(dǎo)通電阻為1.35mΩ
- 實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷
- Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低
- 高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應(yīng)用
- 開關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件采用高密度設(shè)計，與前一代器件相比，SiRA00DP的導(dǎo)通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件包括四款型號——SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和1212-8封裝。對于設(shè)計者而言，MOSFET的低導(dǎo)通電阻可以實現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，減少功率損耗，達到更高的效率。
TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，克服了經(jīng)常在高晶格數(shù)量器件上出現(xiàn)的這個問題。今天發(fā)布的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)降至56nC-Ω。
SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統(tǒng)效率，降低溫度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發(fā)布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應(yīng)電壓，有助于防止擊穿的發(fā)生。
SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括開關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器。
TrenchFET Gen IV經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令。TrenchFET Gen IV MOSFET現(xiàn)可提供樣品，在2012年1季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
表：Vishay新一代TrenchFET MOSFET器件規(guī)格表
