產(chǎn)品特性：
- 可將引線電阻降至不到0.5 mΩ
- 電流承載能力高、引線溫度低、傳輸導(dǎo)通電阻少
- 環(huán)保、無鉛、符合RoHS
應(yīng)用范圍：
- 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))的通用大負(fù)荷/高功率通孔
- 內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關(guān)
- 各類微型和全混合動(dòng)力汽車
這款新型車用MOSFET系列適合需要低導(dǎo)通電阻(Rds(on))的通用大負(fù)荷/高功率通孔應(yīng)用，內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關(guān)，以及各類微型和全混合動(dòng)力汽車。新器件采用IR先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)，在顯著提高性能的同時(shí)可與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)相匹配。
在標(biāo)準(zhǔn)TO-262通孔封裝中，除了MOSFET導(dǎo)通電阻，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新WideLead TO-262通孔封裝可將引線電阻降至不到0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統(tǒng)的TO-262封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評(píng)估，在直流電為40A和60A的條件下，WideLead引線溫度比標(biāo)準(zhǔn)TO-262分別低30%和39%。此外，隨著其它封裝技術(shù)的提高，WideLead比標(biāo)準(zhǔn)TO-262封裝中的同等MOSFET少傳輸20%導(dǎo)通電阻。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型WideLead TO-262封裝的設(shè)計(jì)靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能，以及傳統(tǒng)TO-262封裝的各種局限性。IR新型WideLead封裝中的MOSFET新系列在傳輸高電流的同時(shí)，大大降低了引線中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量，從而為汽車應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案。”
所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及100%自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。
新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。
產(chǎn)品規(guī)格
