- 具有25V電壓容差
- 總品度值比第10代功率MOSFET降低約40%
- 采用具有出色散熱特性的WPAK封裝
- 服務器和筆記本電腦等
高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導體晶體管）產品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用，性能較以前提高40%。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進第12代生產工藝的小型化，瑞薩電子的新型MOSFET將FOM（品質因數=導通電阻×柵極電荷）在公司現有產品的基礎上降低了約40%，這使電壓轉換過程中的功率損耗大幅降低，從而實現了更高的DC/DC轉換器性能。
隨著信息與通信產品（如服務器、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時，不斷降低元件（如CPU、圖形處理單元（GPU）、存儲器、ASIC）工作電壓的發展趨勢又導致了電流的增加。這樣就需要DC/DC轉換器能夠處理低壓和大電流。除此之外，日益增長的節能環保需求，也提出了降低電壓轉換過程中的功率損耗與提高轉換效率的要求。而瑞薩電子本次所推出的3款第12代功率MOSFET產品因其領先于業內的性能與降低約40%的FOM，滿足了上述需求。
新產品所具有的25V電壓容差（VDSS）為RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分別實現了40A、30A和25A的最大電流（ID）。另外，新產品的總品度值（VGS = 4.5V時的標準值）分別為10.07mΩ?nC、9.35mΩ?nC和9.2 mΩ?nC，這比瑞薩電子第10代功率MOSFET（在用作控制功率MOSFET時，其提供了比第11代產品更好的總品度值）降低了約40%。
此外，新產品的柵-漏電荷電容（Qgd），即控制功率MOSFET的主要特性分別為1.9nC、1.1nC和0.8nC，也比瑞薩電子第10代功率MOSFET（利用相同的導通電阻進行測量時）低了約40%。該數值越小表明開關損耗越低，則更有助于大幅提升DC/DC轉換器性能和提高能效。
通常，DC/DC轉換器具有2個功率MOSFET：一個用于控制，另一個則用于實現同步整流。它們輪流開關以進行電壓轉換。假設新型RJK0210DPA用于實現控制，同時將瑞薩電子第11代RJK0208DPA用于實現同步整流，那么在將電壓從12V轉換為1.05V時，其最高功率轉換效率則可實現90.6%（在輸出電流為18A的情況下）和86.6%（在輸出電流為40A的情況下）。（這2個數值均基于300kHz的開關頻率和兩相配置。）
新產品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 × 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝。同時，器件下面所裝有的壓料墊，能夠在功率MOSFET工作時將其產生的熱量傳導至印刷電路板，并且使功率MOSFET能夠處理大電流。
今后，瑞薩電子還將不斷開發適于各類DC/DC轉換器的半導體產品，以進一步實現低損耗和高效率，并為開發出更小巧、更節能的系統做出貢獻。
注釋1：FOM（品質因數）：FOM是功率MOSFET公認的性能和效率指標。導通電阻（Ron）是功率MOSFET工作時的電阻。該數值越小則表明傳導損耗越低。柵-漏電荷電容是讓功率MOSFET運行所需的電荷。該數值越小則表明開關性能越高。
