- 采用SO8封裝
- 包含一對互補100V增強式MOSFET
- 典型導通電阻分別為230m? 和235m?
- 功率耗散分別為2.4W及2.6W
- 直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時簡化柵極驅動電路設計。比方說，SO8充分發揮了節省空間的功能，其占位面積只有31 mm2，僅為兩個SOT223 MOSFET的30%。”
最新雙器件封裝內的N與P通道MOSFET，可在10V柵極電壓 (VGS) 下實現極低的柵極電荷，典型導通電阻 (RDS(ON)) 分別為230m? 和235m?，確保開關及導通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。
