產品特點：
- 新產品采用NEC電子的SuperJunction技術
- 可最小化開關損耗并提高系統效率
- SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容
- 保持極低的導通電阻
- 適用于高效率大電流開關應用
- 汽車工程中的EPS（電子動力轉向）或ABS
- 低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備
近日，NEC電子（歐洲）推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以擴展其低電壓PowerMOSFET系列產品。新產品采用NEC電子的SuperJunction技術，具有杰出的優值系數（FOM），可最小化開關損耗并提高系統效率。
與UMOS-4溝道技術相比，SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容，同時保持極低的導通電阻RDS(on)。該技術通過在溝道單元的有源P-阱下面增加P型摻雜區域來提高摻雜度，從而降低N型外延層的電阻。這意味著在導通電阻不變的情況下可增加設計規則的寬度，從而降低柵電荷。
目前，新產品采用流行的D2PAK封裝將四個元件封裝于內，漏源電壓為40V和55V，并準備量產。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的柵電荷僅為150 nC，導通電阻RDS(on)分別為1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP系列的其他產品一樣，新產品符合AEC-Q101資質，最高通道溫度為175℃，純錫電鍍引腳完全符合RoHS要求。
采用SuperJunction技術的PowerMOSFET產品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ適用于高效率大電流開關應用，包括汽車工程中的EPS（電子動力轉向）或ABS，低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備。
