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如何提高混合集成電路的電磁兼容性
混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit）是由半導(dǎo)體集成工藝與厚（薄）膜工藝結(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線，并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等...
2023-01-18
混合集成電路 電磁兼容性
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基于驅(qū)動大功率LED的EMI降低方法
水質(zhì)監(jiān)測系統(tǒng)中紅外輻射所需的大功率LED模塊工作于高電流方波信號，這種信號可能會在系統(tǒng)的生物電極傳感器上引起強電磁干擾(EMI)，從而導(dǎo)致水質(zhì)數(shù)據(jù)的不準(zhǔn)確。本設(shè)計實例示出了一種降低EMI的方法，并用例子進行了詳細(xì)描述。
2023-01-18
驅(qū)動大功率LED EMI
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基于無線傳感器超低功率能量收集器的供電系統(tǒng)設(shè)計
測量和控制所需的超低功率無線傳感器用量的激增、再加上新型能量采集技術(shù)的運用，使得能夠制造出由局部環(huán)境能量而非電池供電的全自主型系統(tǒng)。
2023-01-18
無線傳感器 供電系統(tǒng) 能量收集器
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什么是電子管（真空管）？
現(xiàn)在我們知道，愛迪生效應(yīng)的本質(zhì)，是熱電子發(fā)射。也就是說，燈絲被加熱后，表面的電子變得活躍，“逃”了出去，結(jié)果被金屬銅絲捕獲，從而產(chǎn)生了電流。
2023-01-18
電子管 真空管
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制作RF設(shè)計原型的更好方法--使用X-Microwave
對于RF設(shè)計，典型的原型制作經(jīng)驗是這樣的：為信號鏈中的每個元器件購買評估板，使用RF線纜將這些板串在一起，粗略估計適當(dāng)布局的信號鏈要是構(gòu)建在單個生產(chǎn)PCB上會有怎樣的性能。由于評估板PCB走線較長，并且涉及到大量布線和連接器，因此這種方法會產(chǎn)生相當(dāng)大的插入損耗。由此得到的原型上線測試過...
2023-01-18
RF設(shè)計 X-Microwave ADI
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什么是電源交叉頻率
當(dāng)選擇一個可從單電源產(chǎn)生多輸出的系統(tǒng)拓?fù)鋾r，反激式電源是一個明智的選擇。由于每個變壓器繞組上的電壓與該繞組中的匝數(shù)成比例，因此可以通過匝數(shù)來輕松設(shè)置每個輸出電壓。在理想情況下，如果調(diào)節(jié)其中一個輸出電壓，則所有其他輸出將按照匝數(shù)進行縮放，并保持穩(wěn)定。
2023-01-17
電源交叉頻率
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直流系統(tǒng)性能劣化導(dǎo)致基站瞬斷的解決方案
本文針對現(xiàn)網(wǎng)宏蜂窩基站部分老舊開關(guān)電源下電和恢復(fù)電壓參數(shù)設(shè)置受限，當(dāng)配套的蓄電池組性能劣化時，會導(dǎo)致在交流停電后，開關(guān)電源反復(fù)給設(shè)備供斷電，引起基站頻繁瞬斷的情況，考慮在直流供電系統(tǒng)中引入獨立的供斷電判斷機制，經(jīng)過實驗，成功解決了此類基站的瞬斷問題。
2023-01-17
直流系統(tǒng)性 基站
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詳解：大電流MOSFET的門極驅(qū)動峰值電流的計算方法
大電流MOSFET的使用廣泛，它們的導(dǎo)通電阻低，電流能力較大，適合在各種開關(guān)電源中應(yīng)用，在具體的器件驅(qū)動電路設(shè)計中，需要注意其門極電容較大，適合的門極驅(qū)動器需要有足夠的電流，去將門極電容充電，從而使電壓達(dá)到Vth，進而在系統(tǒng)允許的時間內(nèi)去完全導(dǎo)通。
2023-01-17
大電流MOSFET 門極驅(qū)動峰值電流
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17V輸入、雙通道1A輸出同步降壓型穩(wěn)壓器具有超低靜態(tài)電流
LTC?3622 雙通道 1A 同步單片式降壓型穩(wěn)壓器可為電池供電型系統(tǒng)和便攜式設(shè)備以及通用負(fù)載點調(diào)節(jié)提供緊湊、高效率的電源。纖巧型 14 引腳、3mm × 4mm DFN 封裝可承受 2.7V 至 17V 的輸入電壓，從而產(chǎn)生兩個精度為 0.6V 至 V 的可調(diào) ±1% 輸出在同時在兩個通道上提供高達(dá) 1A 的輸出電流。
2023-01-16
降壓型穩(wěn)壓器 超低靜態(tài)電流 LTC3622
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